Microstructure and Tensile Behavior of Ni-Base Metal Intermetallic Laminate Composites Prepared by Plasma Activated Sintering

采用等离子活化烧结法,通过Ni箔和Al箔的原位燃烧反应制备了镍基金属/金属间化合物叠层复合材料。微观结构观察表明叠层由反应层和剩余镍层交替组成,且反应层由多个金属间化合物单层构成。这些金属间化合物相的成分呈梯度分布,且随试样处理温度的升高,逐步由富铝相向富镍相转变。相应地,叠层复合材料的抗拉伸强度随着温度升高而逐渐升高,在1473 K温度下制备的复合材料具有最高的抗拉伸强度和伸长率。拉伸试样的断口形貌显示,在较低处理温度(1073和1173 K)制备的叠层复合材料,其断裂是由于金属间化合物层内的横向裂纹与镍层内的剪切带交互作用所引起的。随着处理温度升高,试样的断裂由多重裂纹模式向单裂纹模式转变。     

可加工Si3N4／BN复相陶瓷的制备及性能研究

采用化学溶液法混料，然后用氢还原氮化法制备出具有包覆结构的Si3N4／BN纳米复合粉体，复合粉热压后获得较高强度，同时又具有良好加工性能的复相陶瓷。扫描电镜(SEM)，X射线衍射(XRD)分析表明：复相陶瓷中氮化硼以六方晶(h-BN)均匀分布于以α-Si3N4为基体相的晶界与晶内，并抑制α-Si3N4的晶粒长大使基体晶粒细化。良好加工性能的获得是由于h-BN易沿其层间解理以及h-BN与α-Si3N4两相由于热膨胀失配产生的弱界面易在剪切方向剥层所致。     

6H-SiC单晶中的蜷线

用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错，它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在（0001）Si面上，蜷线表现为圆形螺旋，而在（0001）C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下，蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下，蜷线的极点会出现包裹物，如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当（0001）Si面作为生长面时，6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型（BCF理论模型）。     

Ni—Ti焊料部分液相瞬间连接高纯Al2O3—Kovar工艺的研究

通过Ti-Ti活性焊粒部分液相瞬间连接工艺，实现了高纯Al2O3陶瓷和可伐合金（Kovar）的气密性连接。结果表明焊缝区呈现明显的“三明治”夹层结构，两侧主要为Ti2Ni金属间化合物层，中间为较厚的Ti固溶体层。接头强度最初随保温时间延长增加，但与焊接温度之间没有明显的单调关系。     

活化钼-锰法陶瓷-金属封接研究的进展

介绍了钼-锰(molybdenum-manganese,Mo-Mn)法陶瓷-金属封接工艺、陶瓷-金属封接结构、陶瓷一次金属化机理.在描述双毛细管修正模型的基础上,讨论了活化Mo-Mn法中玻璃相迁移方向.结果表明:金属化层中,玻璃相以向陶瓷体中迁移为主;陶瓷体中,玻璃相以向金属化层中迁移为辅.回顾了国内外活化Mo-Mn法陶瓷-金属封接研究的进展.最后,展望了活化Mo-Mn法应用于高纯、复合、非氧化、等静压和多孔陶瓷的发展前景,认为采用活化Mo-Mn法制备的封接件的服役性能及力学行为有待进一步研究.     

化学液相气化渗透法制备炭/炭复合材料研究的进展

综合评述了化学液相气化渗透(chemical liquid vapor infiltration, CLVI)法制备炭/炭(C/C)复合材料的研究.概述了CLVI法的工艺特点及其快速致密的原理,并分别从预制体形状、发热体加热方式、前驱体种类等方面介绍了近年来各种改进的CLVI工艺.分析了制备方式、温度以及前驱体种类等对热解炭微观结构的影响.展望了CLVI法制备C/C复合材料的发展趋势.综合分析表明:目前,CLVI法尚不能满足应用于工业化生产的要求,今后将向多试样沉积、低能量消耗、前驱体高利用率等方向发展.     

活化钼-锰法陶瓷硷属封接研究的进展

介绍了钼-锰（molybdenum-manganese，Mo-Mn）法陶瓷-金属封接工艺、陶瓷-金属封接结构、陶瓷一次金属化机理。在描述双毛细管修正模型的基础上，讨论了活化Mo-Mn法中玻璃相迁移方向。结果表明：金属化层中，玻璃相以向陶瓷体中迁移为主；陶瓷体中，玻璃相以向金属化层中迁移为辅。回顾了国内外活化Mo-Mn法陶瓷-金属封接研究的进展。晟后，展望了活化Mo-Mn法应用于高纯、复合、非氧化、等静压和多孔陶瓷的发展前景，认为采用活化Mo-Mn法制备的封接件的服役性能及力学行为有待进一步研究。     

浅议发展唐山市节水农业措施和途径

从唐山市水资源的现状和农业节水的根本途径，阐述水资源可持续利用和农业节水二者相互影响，相互作用，相互依存的关系。     

Si对反应烧结SiC热电性能的影响

SiC是一种具有良好应用前景的高温热电半导体材料，近年来一直得到广泛的关注和研究。本文对反应烧结SiC的热电性能进行了初步研究，发现该材料中的Si对其热电性能有显著的影响。经研究发现，这一影响只有在一定温度和一定残留Si的情况下才能表现出来。