超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究

本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。     

同轴探头测量材料电磁参数变频率法的改进

本文针对我们实验室早期提出的用开口同轴探头变频率法同时测量雷达吸波材料的介电常数和磁导率技术^(6,7)在实用中遇到的问题,提出应用线性插值技术来修正电磁参数随频率的变化,使用拟合技术来克服测得反射系数的随机误差对电磁参数提取的影响,建立多频率点上电磁参数的矛盾方程方法来减少参数提取时所产生的伪根等改进技术,从而有效地克服原方法所存在的问题,使之能够用于实际测量。并通过对具体样品的测量证明了改进技术的合理性及有效性。     

一种新结构IGBT——内透明集电区IGBT

本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层，同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明，无论是穿通型结构（有缓冲层）还是非穿通型结构（无缓冲层）的ITC—IGBT，在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数，解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点，有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT，该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。     

公安无线移动警务交通管理系统的设计与实现

针对公安工作移动性、突发性、紧急性等特点,开发了一款专门为公安干警配备的便于携带,使用简便又能解决实际问题的"现场查核系统"--公安移动警务交通管理系统,使公安干警在执勤过程中,现场核实各种证件的真伪,对可现场处理的问题现场处理,比如对驾驶员违法计分现场处理.该系统是利用计算机技术、数据库技术、无线通信技术,使一线干警随时随地可以取得所需要的有效资料,以及可以向公安数据服务中心传送数据、图片等信息.     

硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响

本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。     

中小型切换台的选型与应用分析

介绍了切换台的历史以及发展趋势，详细介绍了目前主流切换台的功能和参数，讨论分析了中小型切换台的选型与应用。     

电视节目频道传接设置的改进

通过实验和分析说明,电视节目传输频道的有序设置,能给电视观众在搜台和变换节目频道中带来便利;电视节目的传输与接收应规范一致的技术标准,避免在接收端出现不理想的情况;电视节目每套的有序设置也能够在有线数字电视中实现.     

部分城市生产资料价格周报(2002年11月25日—11月29日)

单位:元/吨品名规格条件北京沈阳天津长沙上海成都白银兰州广州必盈1#挂牌1630()巧7(X)158(X)16400157(X)巧8(X)H,成交162(X)162(X)156(X)巧60016350巧6沉)157(X)15930担A00挂牌152(X)145(X)l49()0152(X)1440014侧沉)15《X洲)l‘J成交巧15015(XX)!44的l470()巧150143(X)148(X)1