限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素

介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。     

孤岛油田含聚污水处理技术进展

针对孤岛油田外输污水合油量高、污水处理难度大的问题，相继开发研究了一些新型破乳剂、污水处理荆，在一定时期内取得了较好的现场处理效果，但随着水质的变化，这些产品已逐渐不能适应处理要求。本文着重时近年来采取的措施进行了总结。并对今后的污水处理工作提出了建议。     

高校网络非线性编辑系统构建

从我国高校非线性编辑教学现状出发,对单机非线性编辑与网络非线性编辑以及国内外网络非线性编辑系统作了较为全面的分析和对比,在此基础上提出了高校网络非线性编辑系统的构建模式.     

InGaAs短波红外探测器

与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.     

MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究

微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的：以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法：在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果：在pH1～12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H＋的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H＋的响应仅为0.13mV/pH;结论：采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.     

Hi-End前置放大器是如何构建的

TBC-Zero是业内熟知的Hi-End前置放大器，它是TECHNICALBRAIN前两年推出的一款崭新的全平衡型前置放大器。该前置放大器的SEPP输出级没有使用发射极电阻，是一款无负反馈的全直流放大器。本文将对该机所用的电路技术和安装技术作较全面的介绍。通过介绍，让大家了解Hi-End前置放大器是如何构成的。     

碳纳米管的场发射特性

研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。     

基于ＦＰＧＡ的高精度多通道信号源设计与实现

针对航天领域遥测系统设备地面测试阶段需要模拟多种信号,以完成地面模拟试验,设计了一种基于FPGA和千兆以太网的高精度多通道模拟信号源。该信号源以FPGA作为系统的核心控制器,通过千兆以太网接收上位机传输的指令来控制信号的输出,实现了65路0~5V、10路0~28V、8路-15~0V可调直流模拟电压输出、2路TTE网口信号输出和16路RS422数字信号输出。该信号源结构设计简单合理,配套上位机能够对直流电压信号进行幅值设定和精度补偿,能够达到输出幅值精度优于0.01％,同时能够配置数字信号的帧格式和数据内容,能够兼容HDLC、PCM等多种数字协议。试验表明,系统能够实现所需信号的高精度可靠输出,并且具备极高的兼容性,目前,该信号源已经成功应用于某数据采编存储器的地面联试实验。     

自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响

基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结果都表明,自由表面光学系统可以明显改善白光LED光源的色温角分布不均匀特性。