直升机载空空导弹作战使用仿真试验方法

针对直升机载空空导弹作战使用的仿真试验方法进行研究.分析了影响直升机载红外空空导弹作战使用的主要因素,建立了空空导弹半实物仿真系统,重点围绕载机发射条件、目标特性、战场环境等因素对导弹使用的影响展开试验设计.提出的试验内容与方法能够满足导弹作战使用研究的需求,可以为同领域导弹的作战使用研究提供参考.     

表层开窗侧钻时聚合物黏弹性对钻井液携带能力的影响

在开窗作业过程中产生的铁屑,因为其密度高,在环空中下沉速率较快,同时这些铁屑形状各异,在被钻井液携带上返时容易互相缠绕形成笼状,进一步增加井眼的清洁难度。通过室内动态携带效率模拟评价设备,比较了不同聚合物溶液在不同浓度下对铁屑的携带能力。结果表明,随着聚合物流体弹性应力的增大,使得环空中流体在层流时的法应力也随之增大,钻屑或铁屑在被携带上返时出现黏壁的现象愈发明显,也会在一定程度上降低钻井液的携带效率。因此,聚合物流体的黏弹性在一定范围内对流体的携带能力有正面影响,但超过这个范围就要考虑其产生的副作用对携带能力的削弱。      

正戊烷与甲醇制芳烃工艺条件的优化

以负载ZnO的ZSM-5为催化剂,利用固定床微型反应装置系统地考察了反应温度、反应空速、投料摩尔比对甲醇与正戊烷共芳构化反应的影响。结果表明：与单独芳构化相比,正戊烷与甲醇共芳构化可提高芳烃的选择性,抑制干气的生成;随着甲醇与正戊烷摩尔比的增大,正戊烷的转化率下降;正戊烷与甲醇在ZSM-5分子筛上进行芳构化反应的适宜反应条件为：温度475℃,烃基质量空速2 h^-1,甲醇与正戊烷摩尔比3∶1;在优化工艺条件下,正戊烷与甲醇共芳构化反应中芳烃的选择性可达31.68%。     

基于背景估计的图像预处理技术的性能分析

红外图像预处理是红外小目标检测中的重要组成部分,其基本思想是通过背景估计实现对起伏背景的抑制,提高信噪比。对现今几种常用的背景估计技术进行了理论分析,指出了各自的优点与不足,并通过计算机仿真结果给出了直观的性能对比。对红外图像预处理的进一步研究具有指导意义。     

相干激光雷达的进展

1960年激光器的发明使相干光作为激光雷达发射源成为可能。相干激光雷达与很多常规微波雷达具有诸多共同基本特征。然而,激光的短波长可用于许多新的军事领域,尤其是在目标识别和导弹制导方面。本文追踪了林肯实验室1967-1994年激光雷达的发展历程。该历程包括两个激光雷达系统的构造、测试和演示验证,一个是高功率、长距离＂火池＂激光雷达系统,另一个是紧凑型短距离红外天基雷达（IRAR）系统。＂火池＂主要用于诸如空间目标监视以及弹道导弹防御等战略军事应用,而IRAR主要作为战术目标天基探测和识别的试验平台。     

非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.     

一种模糊核聚类算法的改进

从计算方法角度对算法进行改进,引入高斯核函数,改良归一化条件并对迭代过程加以简化,从而改进了模糊核C均值算法.算法性能速度较经典的聚类算法有了较大改进,聚类结果更为快速稳定,并可在多种数据结构条件下进行有效的聚类,计算时间显著减少,克服了传统的模糊核C-均值算法计算时间较长,在样本集不理想的情况下可能导致结果不好等不足.实验结果证实了该改进算法有效性.     

NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能.     

Ka波段GaN HEMT功率器件

设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43％,功率密度达到3.3 W/mm.     

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明：制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内．低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要．采用VHFPECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2．