改善数控车削零件加工质量的方法

零件加工质量包含零件加工精度和表面粗糙度两大部分。数控车削零件的加工精度主要取决于机床精度、编程精度、插补精度和倒服精度。在实际生产中,数控车床车削零件的质量受诸多因素的影响,如工艺过程、数控系统、数控编程和对刀调整等都直接影响零件的加工质量。     

ACS800 MultiDrive在梅山热轧的应用

为了满足梅山热轧产能的要求,提高电机控制性能,加热炉传动系统采用了ABB多传动变频装置.重点介绍了主从控制方式的应用和窗口控制原理,同时介绍了系统的拓扑结构、硬件构成、系统固件及直接转矩控制,通过采用主从控制方式,电机定位精度得到提高,达到生产工艺的要求.     

稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的磁性模拟和晶场效应

基于晶场理论,通过对Hermes等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数。它们的第一激发能和总激发能分别为:43.02meV,186.1meV;0.037meV,52.59meV和0.56meV,4.66meV。结果表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为9个单态,Nd3+分裂为5个单态,模拟结果与实验曲线吻合很好。     

制造业信息化综合集成技术的开发与应用

以北京石油机械厂(以下简称北石厂)信息化综合集成平台建设为例,阐述了制造业信息化集成系统的目标以及实施方案,重点介绍了实现PDM与ERP系统集成以及实现PDM与DNC系统的集成的技术开发与应用效果。实现了基于集成的管理创新和设计创新,消除了企业在异构信息系统下的信息孤岛问题,以及业务流、数据流无法协同的瓶颈问题。解决了以小批量多品种生产为主要特征的生产企业实现数字化和网络化制造所需要的信息集成问题,初步实现PLM与ERP系统互操作的协同。     

N-I-P 单结微晶硅太阳电池中N/I 与 I/P界面缓冲层的研究与优化

采用高压RF-PECVD技术制备了本征微晶硅薄膜和n-i-p结构微晶硅太阳电池。详细研究了n-i-p微晶硅太阳电池中n/i 和 i/p 缓冲层对太阳电池性能的影响。实验结果表明,提高n/i 界面晶化率以及在i/p 界面加入非晶缓冲层均有利于太阳电池性能的提高。通过优化界面缓冲层,微晶硅单结电池和非晶硅/微晶硅叠层电池的性能得到大幅度提高。     

通用数据库性能测评系统的设计与实现

为了准确测评通用数据库的联机事务处理性能,基于国际通用的计算机系统性能测评标准TPC系列中的TPC-C标准,及开源测试工具dbt2,设计并实现了通用数据库性能测评系统.并应用该系统对Oracle 10g与MySQL5.1进行了对比测评,取得了准确、合理的测评结果.     

过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。     

利用RELACS辅助技术制作"T"型栅

利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。     

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.     

桩＋内支撑支护体系在深圳某复杂周边环境基坑中的应用

在深圳某周边条件复杂、且开挖深度达到14m的深基坑中,采用排桩＋1道内支撑的支护体系,通过分析比较计算结果与监测数据,该支护形式达到了维持基坑安全稳定的目的,且有效控制了基坑周边沉降及位移,能给同行提供一定经验。