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21.
22.
研究了时效温度和时效时间对不同冷变形条件下Cu-2.0Ni-0.5Si-0.15Ag合金组织和性能的影响.在Gleeble-1500D热模拟试验机上,采用高温等温压缩试验,对Cu-2.0Ni-0.5Si-0.15Ag合金在高温压缩变形中的流变应力行为和组织变化进行了研究.结果表明:合金经900℃固溶,在经不同冷变形后时效,能获得较高的显微硬度与导电率,当变形量为80%,时效温度达到450℃时,其显微硬度达到220Hv,导电率达到41%IACS.热模拟实验中,应变速率和变形温度的变化强烈地影响合金流变应力的大小,流变应力随变形温度升高而降低,随应变速率提高而增大,材料显微组织强烈受到变形温度的影响. 相似文献
23.
研究了一种新型简化内氧化工艺制备Cu-Al2O3复合材料烧结过程中的致密化和内氧化。结果表明,混合粉末压制成形后的压坯密度随烧结时间延长而增加,经950℃烧结8 h后稳定在7.96 g/cm3左右,较烧结前密度增幅达4.3%;同时Cu-Al合金颗粒完成了内氧化,生成了大量粒状的Al2O3并弥散分布于铜基体,其粒径约为5~20 nm,颗粒间距约为25~60 nm。理论计算表明,当Cu-Al合金颗粒间孔隙直径小于27.5μm时,粉末压坯发生收缩,密度增加;当孔隙直径大于27.5μm时,压坯发生膨胀,密度降低。实际上密度的变化是收缩和膨胀两种效应综合作用的结果。 相似文献
24.
SnO2含量对AgSnO2电接触材料组织与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用粉末冶金法制备出银氧化锡电接触材料,研究了不同含量的氧化锡对材料组织性能的影响,随着氧化锡含量的增加,材料的导电率和抗熔蚀性能越来越差。在氧化锡含量为5wt%和8wt%时材料的性能相差较小,电接触性能较好。从降低成本及不降低材料性能来说,最佳氧化锡含量为8wt%。 相似文献
25.
26.
在变形温度800~1100℃,变形速率0.01~5 s-1范围内,利用Gleeble-1500D热模拟试验机,采用等温压缩实验研究了Fe-25Mn-3Al高锰奥氏体TWIP钢的热变形行为。结果表明,Fe-25Mn-3Al钢流变应力曲线出现一个明显的流变应力峰值,峰值之后流变应力逐渐降低,主要为稳态流变特征。双曲正弦形式的Arrhenius模型可以较好地描述Fe-25Mn-3Al钢热变形流变应力,钢的热变形激活能Q为365.2 kJ/mol。动态再结晶机制为Fe-25Mn-3Al钢热变形过程中最主要的动态软化机制。 相似文献
27.
在中频感应炉中用大气熔铸方法制备了CuCr25以及CuCr25RE合金触头材料,利用扫描电镜对其铸态及锻态的显微组织进行了观察和比较,并探讨了微量稀土对CuCr25电导率及软化温度的影响。结果表明:合金经锻造后可以获得均匀的组织分布,但添加稀土后Cr颗粒明显细化;合金添加稀土元素并经950℃×1h固溶,再在不同温度下进行时效处理,可有效地提高合金的电导率;对固溶后的CuCr25、CuCr25RE合金施以40%冷变形再进行480℃时效处理,其电导率较固溶后直接时效处理的有显著提高;添加微量稀土元素对合金的抗软化性能有所改善,使CuCr25合金的软化温度提高了约25℃。 相似文献
28.
采用SR500光谱光度计对甚高频等离子体增强化学气相沉积本征微晶硅薄膜过程进行了在线监测,分析了硅烷不同注入方式对等离子体光发射谱和薄膜结构的影响。结果表明,采用硅烷梯度注入时,等离子体中的Hα*、Hβ*和Si H*峰强度逐步升高,且高的Hα*/Si H*比值有利于高晶化率界面层的沉积;这与采用XRD分析薄膜的结构得到的结果一致。选择硅烷梯度注入方式沉积微晶硅薄膜电池本征层,在沉积速率为1 nm/s本征层厚度为2400 nm时,最终获得了光电转换效率为7.81%的单结微晶硅薄膜太阳能电池。 相似文献
29.
采用Gleeble-1500D热/力模拟实验机,在变形温度为800~1050℃,应变速率为0.01~5 s~(-1)的条件下,对TA10钛合金做热压缩实验,并根据动态材料模型(DMM)建立不同应变下TA10钛合金的热加工图,分析应变对耗散效率因子、失稳参数和热加工图的影响。结果表明:随着应变的增加,峰值耗散效率因子和流变失稳区均呈现出规律性的变化,都出现了先减小后增大的现象,流变失稳区由小应变时的一个失稳区逐渐变为大应变时的两个失稳区;适用于TA10钛合金的热加工工艺参数范围是变形温度为950~1050℃、应变速率为0.01~0.8 s~(-1)。 相似文献
30.
用电沉积法分别制备了具有不同调制波长的Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜,研究了多层膜的硬度与调制波长之间的关系.结果表明,当调制波长λ>300 nm时,两种多层膜的硬度与调制波长符合位错塞积机制的Hall-Fetch关系,当λ<300 nm时,都偏离了Hall-Fetch关系;Ag/Cu和Cu/Ni多层膜分别在λ=50nm和100nm处取得硬度峰值.基于Cheng等人的电子理论分别求出了Ag,Cu和Ni金属晶体的位错稳定的临界晶粒尺寸,进而定量地解释了Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜硬度峰值位置. 相似文献