50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于100nm同步辐射X线光刻系统而言,它采用的波长通常为0．7-1．0nm,而当光刻分辨率达到50nm以下时,采用的同步辐射X射线波长范围应该为0．2—0．4nm。探讨了在北京同步辐射3B1A光刻束线上进行50nmX射线光刻的可能性。     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。     

LIGA技术X光深层光刻工艺研究

通过在北京高有所３Ｗ１束线上进行的Ｘ光深层光刻工艺研究,获得了测壁光滑、陡直,厚度达１００μｍ,深度比达２０的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适应于ＬＩＧＡ技术的研究。     

X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。     

LIGA技术制备正电子慢化体的实验研究

LIGA技术是具有加工精度高、深宽比大、表面平整、应用领域广等优点，是一种先进的微细加工方法，实验中将LIGA技术的优点用于正电子慢化体的制作中，能获得传统加工方法无法制作出的薄壁网状多孔镍结构，满足新型正电子慢化体的制备要求。本文报道了用LIGA技术制作正电子慢化体的实验研究。     

大面积微细结构的电火花高效加工

采用深度光刻与电铸技术相结合较好地解决了大深宽比的电火花工具电极的制造问题。在此基础上,利用优化的微细电火花加工工艺,可以实现大面积微细结构的高效、精细制造。     

利用LIGA技术研制微细电火花异形和阵列结构电极

利用LIGA技术的优势,针对电火花电板结构特点开发出相应的加工工艺,完成电火花复杂结构电极的制造.电火花电极的特点是大高宽比的金属柱状结构,这对于LIGA技术工艺具有特殊的难度,需要突破深孔显影和电铸工艺难题.通过大量的工艺试验,优化出电火花电极阵列结构的工艺路线,圆满完成阵列结构和异形复杂结构的电极制造,为电火花技术...     

单一取向Cu2O纳米棒的一种工业制备技术

作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用。为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术。     

质子LIGA工艺的探讨

提出采用掩模法的质子LIGA方法,即利用厚胶光刻产生掩模,然后进行质子束深度刻蚀、显影获得微结构。根据TRIM96程序进行模拟计算,该方法可以获得深度达数毫米、深宽比为30以上的微结构。利用通常的LIGA工艺制备了质子束深度刻蚀的掩模。在高能所35MeV质子加速器上进行曝光试验,结果表明,采用PMMA光刻胶具有足够的灵敏度。     

3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的 3B1光束线与LIGA实验站过去使用的 3W 1光束线相比 ,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱 ,但可实现专用光和兼用光两用。现在LIGA实验站移到 3B1光束线 ,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作。结合此研究目的 ,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算 ,分别得到了专用和兼用时 3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据 ,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模 :Au PI组合和Au Si组合。