MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．     

应用芳基铵黑药分离永平矿钢硫新工艺的研究

应用新捕收剂、实现了铜硫分离的优先浮选的新工艺流程.提高了铜、银、硫的精矿品位和回收率,并简化了工艺流程.对低铜、高硫混合矿矿石的分选获得明显的效果.     

用最小二乘法回归罐壁温度计算公式

一、概述在大容量计量中,对立式非保温金属油罐进行计量的最后结果应是标准温度20℃时的值。因此,在实际计量中应将油罐在某一温度t℃下的值换算到20℃时的值。但油罐的罐壁温度由于设备本身等限制,很难直接测得。罐壁温度主要是由罐内油品温度和罐外大气温度所决定,故通常是通过这两个温度推算得到罐壁温度。到目前为止,国内外尚未能得出罐壁温度     

用吡啶2.6二羧酸络合滴定快速测定铀(Ⅵ)

本文在前人工作的基础上,拟定了在PH值为5.0,以偶氮胂Ⅰ和2.4二硝基酚为指示剂,用吡啶2.6二羧酸络合滴定测定铀(VI)的方法,测定范围为0.2～10毫克铀(VI)。该法相对标准偏差小于±2％(六次测定结果),准确度优于3％。     

Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数

分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用，Ｓｃｒ取０．３０．用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数．用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数，直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系．本文同时修正了Ａ１－ｘ－ｙＢｘＣｙＤ型四元合金带隙的计算公式．     

硫酸镁晶须取向对PVC复合材料性能的影响

采用双层复合手段制得各向同性的聚氯乙烯(PVC)/硫酸镁晶须(MSW)复合材料,每层中的MSW是单一取向的.扫描电镜表明:试样中MSW是高度取向的.研究双层复合法制备的复合材料力学性能随MSW含量的变化规律.并与单一MSW取向的复合材料进行比较.结果表明:双层复合制得的材料纵横向力学性能一致,且在低添加量时也能较大地提高复合材料力学性能.     

分子束外延CdTe（211）B／Si复合衬底材料

报道了用MBE的方法，在3英寸Si衬底上制备ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料的初步研究结果，该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长．经过Si（211）衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究，用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料．CdTe厚度大于10μm，XRD FWHM平均值为120arc sec，最好达到100arc sec，无（133）孪晶和其他多晶晶向．     

不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响

对不同钝化层结构的分子束外延（MBE）生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱（SIMS）测试以及相应的理论拟合进行了验证。     

微孔发泡PP材料的断口形貌分析

本文采用二次开模注射成型的方法制取PP微孔发泡材料,对其力学性能进行了测试,实验结果表明,除拉伸强度有所下降外,其它机械性能都得到了提高,尤其冲击强度得到显著提高。用扫描电子显微镜观察了PP微孔发泡材料试样的冲击断口,初步研究了其断口形貌,认为冲击强度提高的原因主要是裂纹扩展过程中微孔吸收了大量的能量和转移了裂纹扩展路径。