温州城市地下空间开发利用规划探讨

随着城市的快速发展,我国不少城市在轨道交通建设的带动下开展了大规模的地下空间开发建设。但由于缺乏针对性强和因地制宜的规划方法,导致不同地区的地下空间开发建设模式一致、形式单一。基于此,研究结合温州城市地下空间开发利用专项规划,对温州地下空间的特征进行分析,重点介绍了该规划的技术手段与创新点,尤其是在山体和围垦区地下空间的开发利用模式上提出了一些建议,以期能为其他山海城市的地下空间开发利用和规划编制提供参考。     

浅谈水利工程建设中的基础灌浆施工技术

随着社会经济步伐的进步,我国水利事业的发展,混凝土施工技术在水利工程中得到了广泛的应用。同时混凝土施工技术的好坏直接影响到整个水利工程施工的质量,尤其是基础灌浆施工技术在水利工程建设过程中是很重要的。但是在水利工程建设过程中,由于混凝土产生的裂缝,直接影响到了水利工程施工的质量。尤其在水利工程方面,由于水利工程对防渗水功能要求的严格,所以在水利工程建设初期必须对地基进行防渗水等方面的处理,因此,我们必须更加重视混凝土基础灌浆施工技术的应用,使其更加完善有效。     

安家岭矿利用中煤发电方案探讨

平朔矿区是我国近期开发建设的大型煤炭基地;已建成生产能力1500万吨的安太堡露天煤矿及相应能力的选煤厂,该矿自1987年9月投产以来,每年出口精煤达600万吨以上,为我国国民经济发展做出了贡献。为了开发建设平朔第二个特大型露天煤矿——安家岭露天煤矿,国家计委于1991年以外资(91)516号文件确定了安家岭露天煤矿为利用日本第三批能源贷款项目,并于1993年以能源(93)360号、303号文件批复了平朔矿区项目建议书及安家岭露天煤矿项目建议书。     

洛氏C标尺新定义下硬度基准机的不确定度评定

针对国际硬度工作组(WGH)提出的对洛氏硬度HRC标尺新定义的要求,对国家洛氏硬度基准进行了电气改造,主要对硬度基准机在新定义下的测量不确定度进行了分析和评定,结果表明:满足新定义要求的硬度基准机的测量不确定度达到了国际硬度工作组U≤0.2HRC,k=2的预期要求.     

微发泡聚丙烯/晶须复合材料的发泡行为与力学性能

将改性的MgSO4和CaCO3晶须加入聚丙烯中,在二次开模条件下制备微发泡聚丙烯(PP)/晶须复合材料,通过晶须在基体中的分散性、泡孔直径大小分布和泡孔密度,分析了不同晶须对材料的发泡行为与力学性能的影响.结果表明,晶须具有一定成核效应,CaCO3晶须的泡孔尺寸25.27μm左右,填充增强效果差;MgSO4晶须的泡孔尺...     

中短波HgCdTe金属接触的退火研究

为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95 ℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125 ℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1 Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。     

InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术

报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外廷生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配△a/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87 μm.     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响

用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱，结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10％的区域，而组分梯度区则影响吸收边斜率．横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率，当组分均方差小于0.005时，横向组分波动对透射光谱影响可以忽略．用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱，并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合，从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数．     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .