栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

一种D波段平行微带线90°相位反相器

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差。通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的 －20 dB带宽为116~218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S₁₁可以达到－65 dB;插入损耗S21的－1 dB带宽为80~220 GHz,在155 GHz工作频率处S₂₁可以达到－0.47 dB;±5°相位误差带宽为150~163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用。     

非对称线性缓变结击穿电压的解析计算

通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称线性结击穿电压公式 ,可以方便地计算出非对称线性结的击穿电压。     

基于PLC的空压机冗余控制系统设计

虽然空压机一般都自带控制系统,但是当多台空压机并网运行时,则需要额外的控制器做协调.本文设计了以嵌入式触摸屏上位机和PLC为核心建立起来的7台空压机PLC冗余联控系统,从控制系统结构设计方面进行了详细的分析和论证;论述了空压机的自动联控运行的PLC程序设计方法和控制流程;实现了PLC的电源冗余、CPU冗余、总线冗余及与上位机的工业以太网冗余和I/O模块的热拔插.与传统空压机控制系统相比,有效降低了成本,并提高了系统的可靠性.     

BSIM4和ULTRA-BULK模型对称性和连续性的检验

以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明:工业标准模型BSIM4在电荷、电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA-BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的,那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。     

有源阵列天线的系统噪声

有源阵列天线系统的噪声是有源相控阵雷达、通讯等系统噪声的主要成分,本文从微波网络理论入手,结合统计理论对有源阵列天线的噪声温度进行理论分析,为有源阵列天线系统噪声的分析、设计和测试提供了完整的数学模型和方法.     

Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current

Characterized back interface traps of SOI devices by the Recombination-Generation (R-G) curren: has been analyzed numerically with an advanced semiconductor simulation tool,namely DESSiS-ISE. The basis of the principle for the R-G current's characterizing the back interface traps of SOI lateral p+p-n+ diode has been demonstrated. The dependence of R-G cur rent on interface trap characteristics has been examined, such as the state density, surface recombination velocity and the trap energy level. The R-G current proves to be an effective tool for monitoring the back interface of SOI devices.     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器

介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性.后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120 μm×1 167 μm.     

数字存储示波器在静电放电试验中的选用

本文介绍了数字存储示波器及其带宽和采样率方面的知识,分析了数字存储示波器对静电放电试验中上升时间测量的影响,提出了具体的解决方法,对其它领域快速单次信号的测量有一定的指导意义.