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101.
本文验证了F-N应力导致的SOI n- MOSFET器件性能退化与栅控二极管的产生-复合(G-R)电流的对应关系。F-N应力导致的界面态增加会导致SOI-MOSFET结构的栅控二极管的产生-复合(G-R)电流增大,以及MOSFET饱和漏端电流,亚阈斜率等器件特性退化。通过一系列的SOI-MOSFET栅控二极管和直流特性测试,实验观察到饱和漏端电流的线性退化和阈值电压的线性增加,亚阈摆幅的类线性上升以及相应的跨导退化。理论和实验证明栅控二极管是一种很有效的监控SOI-MOSFET退化的方法。 相似文献
102.
基于高频肖特基二极管模型,对宽带桥式跟踪保持放大器的失真进行了Volterra分析和计算.分别导出了三阶谐波失真和互调失真表达式.利用非线性电流方法采用计算机程序对弱非线性跟踪保持放大器失真进行计算,计算结果显示其跟用SpectreRF仿真器进行仿真的结果具有很好的一致性,结果也证明,计算机程序在某些条件下,总体计算效率得到了显著提高. 相似文献
103.
104.
A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate (SRG) MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson's equation and Pao-Sah's dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fitting-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation. 相似文献
105.
106.
随着云计算技术在企业的应用,以及资源池大规模的部署,如何有效地对云数据中心硬件资源进行可视化管理和调度,云管理平台已成为企业构建云数据中心的必然选择。首先介绍了云管理平台的概念、功能架构,并对市场主流的云管理平台进行了比较。最后以中国联通建设私有云管理平台为例,详细阐述了其硬件资源的现状及存在问题,通过对2种技术方案的比较,提出了基于混搭架构云管理平台的建设思路和3个阶段的演进步骤。 相似文献
107.
108.
109.
110.
酸奶中乳酸含量测定的毛细管区带电泳方法研究 总被引:3,自引:1,他引:3
建立了测定酸奶中乳酸含量的间接紫外检测毛细管区带电泳方法。在未涂渍的石英毛细管(内径75μm,有效长度50cm)中,以10.0mmol/L的2,6-吡啶二羧酸-0.5mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(pH3.5)为运行电解质,检测波长214nm,在-15kV分离电压下酸奶中乳酸6min内能得到分析。方法重现性好,迁移时间和峰面积的相对标准偏差分别在1.0%和2.0%以内。在相应的浓度范围内,峰面积与样品浓度之间呈现良好的线性关系。该法简单、快速、灵敏度高,为测定酸奶中乳酸含量提供了一种高效、快速、简便的方法。 相似文献