MN150412单片机在微波炉智能控制上的应用

介绍了ＭＮ１５０４１２这一非常适于用在家用电器智能化的单片机在微波炉智能化上的应用。     

苏州 无锡 常州市几个县社小钢铁厂发展情况调查

在这千里稻香、遍地银花、金风送爽、硕果累累的晚秋季节,我们10月28日至11月9日对苏州、无锡、常州、常熟等市几个县的小钢铁企业这几年来在调整中稳定发展的情况,作了一次短暂的调查,受到了比较深刻的启示。现将凋查情况,简要综合如下: 苏州、无锡、常州、常熟等市,地处长江下游,沪宁铁路横贯其中,京杭运河顺流而下,交通方便,气候温和,物产丰富,人口稠密,工商业比较发达,素称“鱼米之乡”。特     

二极管方程新的解析近似解

提出了二极管方程一种新的解析近似解。使用精确的一阶及二阶微分和改进的牛顿-拉夫森方法,推导出一个简洁的二极管方程解析近似解。较之先前的二极管方程解法和近似,该解析近似解显著提高了二极管电流计算的精度和效率。同时,用户在将MOSFET模型如ACM、EKV和BSIM5中的二极管模型和反型层电荷模型实现到诸如SPICE等电路仿真模拟器中时,该解析近似解提供了高精度和高效率的计算方法。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器

介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性.后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120 μm×1 167 μm.     

有源阵列天线的系统噪声

有源阵列天线系统的噪声是有源相控阵雷达、通讯等系统噪声的主要成分,本文从微波网络理论入手,结合统计理论对有源阵列天线的噪声温度进行理论分析,为有源阵列天线系统噪声的分析、设计和测试提供了完整的数学模型和方法.     

栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

基于PLC的空压机冗余控制系统设计

虽然空压机一般都自带控制系统,但是当多台空压机并网运行时,则需要额外的控制器做协调.本文设计了以嵌入式触摸屏上位机和PLC为核心建立起来的7台空压机PLC冗余联控系统,从控制系统结构设计方面进行了详细的分析和论证;论述了空压机的自动联控运行的PLC程序设计方法和控制流程;实现了PLC的电源冗余、CPU冗余、总线冗余及与上位机的工业以太网冗余和I/O模块的热拔插.与传统空压机控制系统相比,有效降低了成本,并提高了系统的可靠性.     

一种D波段平行微带线90°相位反相器

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差。通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的 －20 dB带宽为116~218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S₁₁可以达到－65 dB;插入损耗S21的－1 dB带宽为80~220 GHz,在155 GHz工作频率处S₂₁可以达到－0.47 dB;±5°相位误差带宽为150~163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用。     

非对称线性缓变结击穿电压的解析计算

通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称线性结击穿电压公式 ,可以方便地计算出非对称线性结的击穿电压。     

由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.