仪器误差符合性测试中的风险控制方法

在仪器误差符合性测试过程中,需要通过测量结果给出被测仪器设备合格与否的判定。由于测量不确定度的存在,会导致误判的可能,从而给用户和厂家带来决策风险。为了确保厂家风险（PR）及用户风险(CR)可控,提出了过程能力指数(PCI)、测试不确定度比(TUR)、保护带允许误差比(GTR)综合控制方法,建立了这3个参数与厂家风险和用户风险间的关系,并通过图形化方式给出了实际测试过程风险控制准则。仿真结果表明,在一定的过程能力指数下,选择适当的不确定度比和置信区间保护带,可以满足CR和PR期望值要求。     

基于Excel的曲线拟合在储层改造趋势分析中的应用

储层改造的对象是油气井,在实施措施之前需要通过数据拟合来分析周边井的储层物性等数据的变化趋势并对措施效果做出预测。Excel提供了一次、二次等曲线拟合功能,在．Net环境下,通过软件开发技术驱动Excel中与曲线拟合相关的组件,可实现自主开发的储层改造分析软件同Excel的协同,完成相关趋势分析。     

两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性

研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示 ,虽然对单管特性而言 ,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力 ,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性 ,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明 ,适当的界面态的引入 ,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围 ,从而降低电路的辐射敏感性。     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下 ,N沟和 P沟输入两种不同结构 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况 .结果表明 :由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致 P沟输入运放电特性衰降的主要机制 ;而由氧化物电荷和界面态引起的 N沟差分对的漏电增大则是造成 N沟输入运放电路性能变差的主要原因     

双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性

不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明：在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响

介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因,是因为H的引入产生了更多的界面态,从而使其单管的跨导明显下降所致.这表明,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长,对提高电路的抗辐射特性至关重要.     

PMOS剂量计的长期室温退火

为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度,研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因,ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录,在正偏置贮存下的退火较大。     

薄栅氮化物的击穿特性

研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果     

弹丸破片测速的新概念与新方法可行性研究

由于弹丸的杀伤能力与其破片动能有直接的关系,因此,采用弹丸破片在定距离处平均击靶速度(破片存速)比采用破片平均飞散速度衡量破片杀伤能力更为准确,也更具有实际意义。在此概念基础上,本文设计了一种新的破片测速方法。利用破片穿入预置阻尼块发生侵彻现象时其侵彻深度与撞击速度的函数关系,采用现代传感器技术及数据采集处理技术,测量出破片侵彻深度,从而准确测定破片击靶速度与分布,为弹丸破片杀伤能力的评估提供了一种新的思路与方法。     

频率源时间量特性表征方法及其分析

本文采用最大时间间隔误差(MITE)和时间抖动误差来表征频率源的时间量特征,设计了基于数字信号处理的抖动测量以及MITE的快速计算方法,完善了频率源计量特征的表征.