掺HCl PMOSFET的电离辐射总剂量效应

用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣｌ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣｌ能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长；固定ＨＣｌ流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ时的最优通入时间范围为１０－１５０ｓ，过量的ＨＣｌ掺入，其抑制辐射损伤的能力减弱或消失。用ＨＣｌ在栅介质中的作用是正负效应的综合，解释了实验结果。     

虚拟基准设计及在设备技术状态监测中的应用分析

针对测试设备在周期校准期间性能参数漂移的监测问题,提出了采用虚拟基准代替实物基准进行设备状态监测的方法,给出了虚拟基准系统实现原理和结构框架.采用神经网络算法(NN)构建虚拟基准预测模型,多项式回归算法(MR)构建参考模型并作为比较基模型,获取虚拟基准的NN状态误差输出值和MR状态误差参考值.设计了可信度指标RI(reliance index)和相似度指标SI(similarity index)作为虚拟基准可信度和测量过程数据符合性评价标准,对虚拟基准的可靠性和设备技术状态数据进行分析.实际应用表明,设计的虚拟基准方法与实物基准方法相比,有较高的监测准确性.其平均绝对百分比误差(MAPE)和最大相对估计误差(MREE)分别为0.12％和1.06％.     

传感器系统的二点标定新方法及其分析

在传感器测试系统中,二点标定方法因其工作量小,易于操作而被广泛应用。然而,通常的二点标定法采用零点和满度值作为参考输入,导致测量范围的中部误差较大。为此,本文提出了优化二点标定参考输入点的新方法,给出最大误差限和最小误差量原则,并推导出标定点的计算公式。通过数字仿真计算和实际应用表明,新标定方法的绝对误差比通常的二点标定方法要小,而与最小二乘法相当。     

测量仪器校准间隔的确定及其模型

讨论了测量仪器校准间隔的优化及其随机模型，该模型基于如下假设：测量仪器的校准状态可以通过一个观测参数进行监测。中还给出了不同情况下的随机漂移模型，并通过实验数据对随机模型进行了验证。     

两种电阻-时间变换器设计与分析

文中分别给出基于张驰振荡器原理以及脉宽调制原理的两种电阻－时间变换器电路。分析表明，两种变换器在宽的电阻变化范围内有良好的线性及稳定性，特别适合用于电阻式传感元件的信号处理。