对径测量传感器的激光校准方法

对对径测量传感器的校准方法进行分析和研究,指出了当前手工校准方法存在的弊端和精度低的原因。提出了采用激光干涉仪进行对径测量传感器校准的新构想,实现了被测量到光程差的转化,设计了相应的差动校准测量光路,有效地消除了阿贝误差的影响,校准精度从原来的2.0μm提高到0.14μm,同时可得到被测传感器完整的校准曲线,实现了对径测量传感器的高精度、连续化、全自动校准。     

栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。     

电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 ,但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因     

测井曲线填充算法研究

测井曲线反映了地下地层的电性特征,是石油勘探开发重要的也是最基本的基础资料之一。将测井曲线可视化可提高其研究及应用价值。对两条测井曲线进行填充显示是测井曲线可视化的一种。文中用c!伪代码描述了一种填充显示算法的实现。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

MOSFET模拟特性的电离辐射响应

通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出特性曲线漂移等的依赖关系。试验结果表明，对于Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ，电离辐照感生氧化物电荷积累和界面态密度增加都将导致器件模拟特性的退化；对于Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ，这种退化主要由辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加所支配。     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．     

CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性，各节点电流，电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化，探讨了引起运放电特性退化的主要原因，结果显示，由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称，在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配，是导致运放电参数发生剧变的根本原因，对CMOS运放电路来说，电路结构的匹配及MOSFET单管I－V持性的优劣，是决定运放抗辐射能力的关键。     

基于计量学方法的测量可靠性分析与评估

为了研究专用测试系统量值特性参数对测量结果的影响程度, 提出了测量可靠性的概念. 设计了单台套系统的计量测试校准过程统计环境, 采用经验模式分解获取量值特性参数变化趋势及渐变失效轨迹模型, 给出了基于量值特性参数渐变失效数据的可靠性评估方法. 实际应用表明, 测量可靠性把测量系统的量值特性和可靠性指标联系起来, 对测试系统的可靠性分析评价更为客观, 在工程上也更具有实用价值.