差动电容传感器直接数字变换方法与实现

为了使差动电容传感器与数字仪器间建立数据连接,设计了新型直接数字变换器.变换器采用双斜式变换原理,可实现差动电容传感器差与和之比值的数字输出,给出了原理性电路及测试结果.分析表明:寄生电容、开关泄漏电流和比较器偏置电压等因素对变换过程的影响可以忽略.新型变换技术所获得的高精度和良好的线性只取决于参考电压源而与传感器变换过程参数无关.试验结果显示,对于标称值为10 pF的差动电容传感器,在整个测量范围内,最大线性误差小于0.05％.     

基于多项式混沌理论的不确定度评定与分析

针对基于ISO GUM提供的测量不确定度评估方法所存在的局限,提出了采用多项式混沌方法进行测量结果不确定度评估的新方法。分析了GUM测量不确定度评估方法所隐含的假设条件,给出了多项式混沌方法的测量不确定度评估原理。通过GUM与多项式混沌方法扩展不确定度包含因子估计误差的数值计算表明,当随机变量的PDF不满足高斯分布时,多项式混沌估计方法所获得的扩展不确定度更能反映实际情况。     

剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响

研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应.在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性.试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加.分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论.     

CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线,１ＭｅＶ电子了４,７,３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性,探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理,并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。     

注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性

本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律。结果显示：在MOSFET的栅场介质中适量注入F，能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长，减少漏电流及阂电压漂移，有助于改善CMOS运算放大器电路内部各单管的辐照敏感性，从而使运放电路的整体抗辐射能力得到显著提高。     

基于视觉的轴跳动检测仪

采用结构光三角法测量的构想,设计出一种基于视觉的径向跳动和轴向窜动自动化检测仪,分析了系统的工作原理及结构,并指出提高检测精度的途径,给出了摄像机与激光的标定方法,实现了跳动和窜动量的快速、准确、非接触和自动化检测.     

靶场外测设备动态校准测试方案风险评估

针对靶场外测设备动态校准测试方案的选择问题,提出了把实施风险作为第4维参数以平衡性能、费用、时间3维参数的思路.设计了风险指标(事件)及风险指标的层次结构模型,给出了每一个风险指标的风险概率及风险后果影响程度计算方法,并结合实际情况,建立了方案评估的基本步骤,为最终方案的选择提供依据.     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下,N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况.结果表明:由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制;而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因.     

CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统

为了从内部研究ＣＭＯＳ运算放大器的电离辐射损伤机理,用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化,观察电路内部各功能单元电路和ＭＯＳＦＥＴ的辐照损伤特性;该系统能将不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试。     

双极晶体管的低剂量率电离辐射效应

通过对npn管和pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度,致使低剂量率下过量基极电流明显增大.而辐照后npn管比pnp管具有更大的有效表面复合面积,致使前者比后者有更大的表面复合电流,从而导致了在各种剂量率辐照下,npn管比pnp管对电离辐射都更为敏感.