CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

介绍了CMOS运算放大器经60CoY辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果，并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析，探讨了引起电路“后损伤”效应的原因。结果表明，由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配，是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路，在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时，改善电路间的对称性和匹配性，对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。     

SOS—CMOS电路的电离辐照响应特性

本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，。探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。     

Effects of radiation－induced oxide and interface charges on mobility degradation in MOSFETs

Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄｏｘｉｄｅａｎｄｉｎｔｅｒｆａｃｅｃｈａｒｇｅｓｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｎ　ＭＯＳＦＥＴｓＲｅｎＤｉ－Ｙｕａｎ（任迪远）；ＹｕＸｕｅ－Ｆｅｎｇ（余学锋）；ＬｕＷｕ（陆妩）；Ｇａｏ...     

L82C87集成电路的总剂量辐射效应研究

对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应，退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。     

两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论．     

测试设备的测量可靠性及容差分析

本文采用测量可靠性和工程容差来表征测试设备的能力和准确度，给出了它们与不确定度表征方法之间的数学关系，分析了校准风险，为评价测试设备的技术性能提供了新的途径。     

测试系统动态校准的非参数模型及其分析

本文通过采用时域法建立非参数模型 ,对某武器参数测试系统进行了动态校准 ,给出了其瞬态响应及频率特性 ,并对该方法进行了简要的分析     

计算机基仪器网上校准技术

文中论述计算机基仪器的网上校准新技术。采用传递标准，通过局域网实现校准实验室的远程校准。在传递标准中的微处理器提供校准所需输入信号，数字多用表作为参考标准进行量值的传递。     

数字多用表在测量低频交流电压中的误差分析

本文对基于数字采样技术的真有效值变换器数字多用表在测量低频交流电压时的误差进行了分析 ,并给出了理论计算值及实际测量结果。     

多基雷达定位中站址误差影响分析

本文针对多基雷达系统站址测量误差对飞行目标定位精度的影响,给出了评估此项误差的数学模型.分析表明,其影响是各站址误差的线性组合.主站的站址误差起着主要作用,因此必须对它进行精确测量.