含氟超薄栅氧化层的抗击穿特性研究

对含 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究。实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力。分析研究表明 ,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的 ,F的引入可以对 Si/Si O2 界面和 Si O2 中的 O3 ≡ Si·与 Si3 ≡ Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱进行补偿 ,从而减少了初始固定正电荷和 Si/Si O2 界面态 ,提高了栅氧化层的质量。研究结果表明 ,器件的击穿电压与氧化层面积有一定的依赖关系 ,随着栅氧化层面积的减小 ,器件的击穿电压增大。     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．     

应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

为给金属氧化物半导体场效应功率管（Power MOSFET）在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60^Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，分析了Power MOSFET器件在60^Co γ，射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道Power MOSFET相比，P沟道Power MOSFET可能更适合空间应用。     

双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

自校准型电子天平的线性检定方法与分析

对于具有自校准功能的电子天平 ,其线性误差的计量检定有一定的特殊性。本文通过一个实例对这一问题给予了分析 ,并提出了电子天平最大允许误差与独立线性度组合评定方法     

基于可能性理论的测试信息融合及不确定性处理方法与分析

针对测试信息融合及不确定性处理问题,提出了采用条件可能性分布获取测量过程后验信息的方法。设计了用随机模糊变量的可能性分布取代概率分布的技术途径,给出了实现测试信息融合及不确定性处理的基本思路,并通过实例说明了该方法的实用性和有效性。结果表明,基于可能性理论,结合可靠的测量先验信息,可以得到精确的测量结果后验估计。     

武器鉴定试验测试方案的计算机辅助设计与分析

针对目前靶场鉴定试验测试方案设计中存在的问题,提出了测试方案计算机辅助设计思想和方法.通过计算机化的集成平台,实现测试效果预先评估和测试活动中的交互.同时对测试方案计算机辅助设计的集成框架和过程建模技术进行了分析,提出了集成框架分层体系结构.过程建模系统结构.该方法可形象化地描述总体设计过程中的各种设计活动,能够支持设计、分析与仿真的自动集成.     

注F栅介质抗电离辐射损伤机理

对含 F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明 :F减少工艺过程引入栅介质的 E’中心缺陷和补偿 Si/ Si O2 界面 Si悬挂键的作用 ,将导致初始氧化物电荷和界面态密度的下降 ;栅 Si O2 中的 F主要以 F离子和 Si- F结键的方式存在 ;含 F栅介质中部分 Si- F键替换 Si- O应力键而使 Si/ Si O2 界面应力得到释放 ,以及用较高键能的 Si- F键替换 Si- H弱键的有益作用是栅介质辐射敏感性降低的根本原因 ;含 F CMOS电路辐射感生漏电流得到抑制的主要原因是场氧介质中氧化物电荷的增长受到了明显抑制。     

新型电阻--频率变换器设计

文中给出了一个由惠斯登电桥、积分器、过零检测器等组成的电阻－频率转换器。分析表明,采用简单的补偿技术就可使此转换器在宽电阻变化范围内具有良好的线性。因此,此电路特别适用于电阻式传感元件的信号处理。     

靶场时统装置同步误差实时校准方法与分析

针对靶场时统装置同步误差校准过程中无法实时获取校准结果的问题,提出了基于精密时钟协议(PTP)的时统装置同步误差远程实时校准新方法,对时统装置同步误差实时校准系统的不确定度进行了分析;实验与分析结果表明:新方法可对同步误差为1μs的时统装置开展实时校准,为事后的数据处理提供时间修正,也可满足靶场装备信息化管理需要.