导弹武器全制导技术发展分析

面向反舰、对地攻击和反辐射等典型精确制导武器作战的现实需求,探讨了以高精度惯导信息获取与利用为核心的导弹武器全制导技术的新概念、方法和应用,构建出导弹武器全制导技术仿真验证半实物仿真系统,进行了反舰巡航导弹全弹道飞行等仿真评估实验,充分地验证了该方案的可行性与有效性。全制导技术方案着眼于制导方式、信息融合和信号处理上的完善与改进,可为提高我军精确制导武器在复杂环境下的作战能力提供可行的技术实现途径,同时可为新一代精确制导武器的研制提供必要的技术储备。     

一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好.     

光子晶体应用于在浓度检测上的模拟研究

采用平面波展开法数值计算了对二维光子晶体在TE和TM偏振态下的带隙进行了计算,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据,选择二维三角晶格光子晶体(GaAs)作为基底,在空气孔内填充浓度(质量百分浓度)为一定的待测溶液硫酸铜材料,通过计算得到了温度为298K情况下介电常数在71.917-62.530变化时,待测浓度的对应关系,并由此得到液体填充的光子晶体在不同偏振模式下光子禁带结构.结果表明,以硫酸铜的水溶液作为空气圆孔中的介质材料,当溶液质量百分浓度不同时光子带隙(PBG)发生变化。这对溶液浓度检测应用方面有一定的指导作用。     

50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。     

基于单片机和组态王的陶瓷检测系统设计

针对国内的陶瓷性能检测仪自动化程度不高、检测精度低、检测范围比较窄,可视化差等情况,设计开发了一种基于AVR ATmegal28单片机和北京亚控公司的组态软件的陶瓷检测实时控制系统。该系统运用虚拟仪器组态王作为上位机,辅以ATmegal28单片机为核心的变参数的模糊神经网络PID控制器,对陶瓷性能进行检测。经现场使用表明,该系统检测精度高、范围广、可视化程度高,使用方便。     

具有APD-TIA光模块的饱和光功率偏低研究

GPON ONU用光接收模块的光接收灵敏度和饱和光功率分别要求-28dBm和-8dBm。测试表明,具有2.5Gb/s APD-TIA光接收模块在25℃和85℃下接收光灵敏度和饱和光功率一般没问题,但在-40℃下,部分模块饱和光功率低于-8dBm。分析指出,饱和光功率偏低,主要与APD的结构、温度特性以及TIA、AGC性能有关。     

振冲法对多层软弱坝基的处理

汤浦水库系我省水利工程首例采用振冲法处理多层软弱坝基的工程。本文介绍振冲法的概况及应用发展前景，说明采用振冲法加固处理可增加坝基抗滑稳定性，提高填筑速率，达到变形协调的效果，通过该工程实践，可为大中型水利工程应用振冲法积累经验。     

基于Liu混沌系统同步的图像保密通信研究

分析了Liu混沌系统的特性,讨论了一种观测器同步设计方法.首先对响应系统状态进行重构,然后通过极点配置方法,实现两个混沌系统的状态渐进同步,并通过数值仿真对理论分析加以验证.提出利用Liu混沌系统同步进行图像保密通信的方法,在发送端利用Liu混沌信号掩盖坐标变换后的数字图像信号,在接收端能准确地恢复原始图像信号.仿真结果表明了提出的图像保密通信方法具有很好的保密性.     

EFI及其安全性研究

为了解决传统PCBIOS的局限性及其面临的问题,Intel公司提出了可扩展固件接口(EFI)的规范标准。作为下一代BIOS,EFI为启动操作系统前的程序提供了一个标准环境。文中详细介绍了EFI,指出EFI存在的一些安全问题,并分析相关的安全机制,指出了实现EFI安全必须考虑的因素。     

一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围作用下,具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比.