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分别选取纯金红石结构和金红石与锐钛矿混合结构的TiO2为钛源,通过传统固相法制备FeTiTaO6陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对比表征了2种钛源条件下合成FeTiTaO6的相结构和微观形貌,并测试了二者的介温谱。结果显示,以纯金红石TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷有明显的介电弛豫特性,而以含有锐钛矿的TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷没有介电峰出现。原因是由于在煅烧阶段不同晶型TiO2之间发生结构转变,使制得的陶瓷粉体反应活性不同,进而影响陶瓷烧结的热力学进程,并导致陶瓷的介电性能出现差异。 相似文献
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半化学法制备0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3陶瓷的反应机理 总被引:1,自引:0,他引:1
采用半化学法制备了纯钙钛矿相的0.80Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(简称为0.80PMN-0.20PT)陶瓷.反应前驱体是以硝酸镁的饱和溶液代替传统氧化物混合法中的氧化镁,与PbO、Nb2O5和TiO2混合球磨得到的.该前驱体的TG-DTG-DSC和XRD分析表明,半化学法的反应机理不同于传统氧化物混合法和二次合成法的反应机理.在煅烧过程中,硝酸镁与氧化铅反应生成铅的活化中间体Pb6O5(NO3)2,由此活化的PbO或Pb3O4可与Nb2O5生成不稳定的、缺B位的焦绿石相Pb3Nb2O8,再与MgO反应生成钙钛矿相PMN-PT. 相似文献
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对0.85PZN-0.10BT-0.05PT弛豫铁电陶瓷进行施主和受主掺并,并用二次合成法制备出镧钾离子共掺的PZN基复相陶瓷,研究了镧,钾离子对陶瓷的相结合和介电性能的影响。结果表明,施主掺杂镧产生有利于焦绿石相生成的富Nb区,并导致材料的介电常数降低;受主掺杂钾引起的电荷不平衡可以通过产生氧空位得到补偿;镧,钾离子掺杂均可使居里温度向低温方向,工提高材料的温度稳定性;镧钾离子共掺会使各自独立掺杂引起的电荷不平衡得到抵消,消除陶瓷中的焦绿石相,并获得具有优异介温性且无焦绿石相的PZN基复相陶瓷。 相似文献
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分别采用一步固相法和二步预产物法合成0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷,并对样品进行微结构和交流阻抗性能解析。结果表明两种方法均制备出纯钙钛矿相陶瓷。但是,二步预产物法合成的陶瓷晶粒尺寸显著增大且均一性提高。在相同阻抗测试温度区域,二步预产物法合成的陶瓷弛豫时间范围明显变宽,表现出较强的弛豫性。根据阿累尼乌斯公式对弛豫时间进行拟合,可以看出二步预产物法得到陶瓷激活能大于一步固相法合成样品,具有较低的氧空位浓度。 相似文献
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BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗。采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷。X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构。同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1kHz~1GHz频率范围内为8~10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料。 相似文献
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以Nb2O5为原料,采用一种新型的聚合物前驱体法制备了层状结构K4Nb6O17薄膜.经600℃以上的温度处理,得到了纳米晶的具有(040)取向的薄膜.XPS测量表明该薄膜的元素比KNbO为4.085.9916.77,符合K4Nb6O17的化学计量比.分解水制氢实验表明该薄膜具有良好的光催化性能.应用Boltzmann方程对产氢量的时间曲线进行了分析.结果表明,结晶性能直接影响了薄膜的产氢行为. 相似文献
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