铬掺杂对PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能的影响

研究了Cr2O3掺杂对0．2Pb（Zn1／3Nb2/3）O3-Pb（Ti0.5Zr0.5）03（PZN-PZT）陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明,Cr2O3掺杂量小于0．3wt％时,Cr2O3能引起三方-四方相变,四方相含量诸加,晶粒尺寸和烧结密度上升;掺杂量高于0．3wt％时,Cr2O3掺杂能抑制晶粒长大并降低烧结密度。同时,Cr2O3掺杂表现出硬性掺杂特征：εr变小,Qm值增加。而tanδ,kp和d33随Cr2O3掺杂量增加而表现出极值特征。最佳的压电性能出现在Cr2O3掺杂量为0．3wt％处。     

ZTM陶瓷六方钛铁矿结构热稳定性研究

通过XRD、DTA、光学显微技术，系统研究了（Zn0.7Mg0.3)TiO3(ZTM)陶瓷六方钛铁矿结构的热稳定性和相分解反应，应用传统电子陶瓷工艺制备ZTM陶瓷。实验发现，由于ZnTiO3和MgTiO3生成稳定的固溶体（Zn,Mg)TiO3，六方钛铁矿相在宽广的烧结温度范围内被稳定，但烧结温度超过1250℃，六方相（Zn,Mg)TiO3将分解为（Zn,Mg)2TiO4和（Zn,Mg)2Ti3O8，这将会引起瓷体的微破裂和致密度的下降。     

铁掺杂0.2PZN-0.8PZT铁电陶瓷Raman散射研究

采用Raman散射方法研究了铁掺杂Pb（Zn1／3Nb2／3）0．2（Zr0．5Ti0．5）0．8O3（0．2PZN0．8PZT）铁电陶瓷中三方-四方共存现象．通过分析四方相E（3TO）和A1（3TO）模式与三方相R1模式之间的相对强度，以及四方相E（3LO）和A1（3LO）模式与三方相Rh模式之间的相对强度，确定了铁掺杂对0．2PZN-0．8PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响，并得到了XRD相分析的验证．因此，通过分解Raman散射中三方-四方振动模式，可以表征掺杂对PZT基陶瓷中三方-四方共存现象的变化趋势．     

共沉淀法制备铌铁酸铅超细粉体

用络合法将Nb2O5转化成可溶性的铌盐,作为铌源,用共沉淀法合成了超细钙钛矿相Pb(Fe1/2Nb1/2)O3粉体.实验中以氨水作为沉淀剂,通过调节溶液的pH值,使铌、铁、铅等金属元素同时以氢氧化物的形式析出.X射线衍射表明:前驱体经400℃的低温煅烧已经出现钙钛矿相;当煅烧温度提高至800℃时,前驱体全部转化为钙钛矿相.扫描电镜观察表明:其颗粒形状呈立方体,尺寸为300～500nm.     

不同铅气氛对0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷性能的影响

采用二次合成法制备了掺锰三元系压电陶瓷0．2PZN-0．8PZT，系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织，介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛的作用机制。实验结果表明，加铅气氛保护的试样在研究的烧结温度范围内(1050～1200℃)具有良好的微观形貌，晶粒大小均匀、致密，综合压电性能优于未加铅气氛保护烧结的试样。     

Na1/2Bi1/2TiO3基无铅压电体系退极化行为

本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2 TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状.同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进行了总结,归纳了关于影响退极化温度的机制的几种观点.     

PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展

PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一.本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势.     

FeTiNbO_6金红石型陶瓷的结构和介电弛豫行为研究

采用固相合成法制备出致密的FeTiNbO6陶瓷,研究了材料的相结构与电学行为。结果显示,样品为四方金红石结构,晶胞参数a=b=0.4652 nm,c=0.3013 nm。相对于纯金红石型TiO2,FeTiNbO6陶瓷晶格畸变增大,诱发体系出现铁电行为。此外,样品呈现弥散相变与频率色散现象,这与金红石结构中等同八面体中心位不等价离子的占据相关。样品的直流电导率主要来源于氧空位的电离与迁移,其转变点靠近相变区域。研究表明FeTiNbO6是一种具有应用潜力的新型无铅弛豫铁电体。     

K0.5Bi0.5TiO3:ZnO无铅铁电复合陶瓷的退极化行为

为了抑制K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3的退极化现象,提高铁电性能,以K_2CO_3、TiO_2、Bi_2O_3及ZnO为原料,通过二步固相法合成无铅铁电复合陶瓷K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3:ZnO(KBT:ZnO).通过X射线衍射、扫描电子显微镜、铁电和介电测试分析了复合陶瓷的微观结构和介电行为.结果表明:KBT中引入20%(物质的量百分数)的ZnO后,复合陶瓷中生成了第三相Zn2TiO_4,同时,KBT的极化能力及其铁电行为得到改善.阻抗测试表明复合铁电陶瓷内部只存在一种导电机制,即电子电导.特别是ZnO的引入抑制了KBT由正常铁电体向弛豫铁电体的相转变,对KBT的应用和研究有着重要的作用.     

表面活性修饰沉淀法制备纳米铌钪酸铅

采用一种表面活性修饰沉淀法,成功地在700℃的低温下合成钙钛矿相Pb(Sc1/2Nb1/2)O3(PSN)纳米粉体。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等现代测试手段对纳米粉体进行表征。结果表明,PSN纳米粉体的晶粒尺寸在80nm左右。分析认为,纳米粉体的获得是由其前驱体的高分散性决定的,其原因在于四甲基氢氧化铵(TMAH)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的复合作用。对纳米PSN粉体的形成机制进行了详细讨论。本实验提出的表面修饰沉淀法为合成含铌钙钛矿多元化合物提供了一种新的低成本路径。