系统引导中硬盘还原卡预警功能的实现

针对硬盘还原卡在自身损坏情况下无法预警，造成计算机保护丧失，增加机房维护难度的现实情况，提出改进情况，并给出汇编语言的示例设计代码，通过对具体产品的应用测试表明，使用本方法能切实提高板卡的自适应能力，做到及时预警，实现硬盘还原卡损坏情况，下的开机智能判断与处理。     

钒球的中子倍增率与活化反应率

以一直径138cm的聚乙烯球作为中子慢化剂与全吸收探测器，采用全吸收法测量了钒球的14MeV中子的泄漏倍增率。用1支与H对热中子具有相同1／V吸收规律的^6Li玻璃探测器的测量子全吸收体的径向中子计数率分布。实验得到了钒球中心D－T中子时的Al、Fe、In和V一组阈探测器的绝对活化反应率的分布。用MCNP／4A程序、ENDF／B－Ⅵ和FENDL－2核数据进行了模拟计算。与实验结果相比较可知：用ENDF／B－Ⅵ库数据的计算结果与实验结果符合良好，而用FENDL－2库数据的计算结果比实验结果约高4％。     

Web服务安全策略研究

Web Service已经成为创建可互操作的分布式应用程序的新平台，如何提高Web service的安全性也随之成为了开发和部署Web服务的热点和关键技术。当前世界上还没有形成一套统一的Web Service安全机制标准，本文就Web service的安全技术进行了归纳和探讨。在给出了Web Service总体的安全体系结构之后归纳出三类安全性技术：系统级技术、第三方认证技术和应用程序级技术，并分别作了讨论和分析。对应用程序级技术，提出了两种实现方法：Web服务中认证和基于SOAP报头认证，同时还给出了一个解决方案和程序示例代码。最后对Web Service可能受到的“循环呼叫”攻击作了讨论，并给出了两点建议。     

舰船火灾报警系统的智能化趋势

本文叙述了火灾报警系统的智能化趋势。并对人工智能应用于模拟量火警系统的信号处理方法及模糊技术和人工神经网络控制的火灾报警系统进行了较详细的分析。     

CAN总线在塑料中空板生产线控制系统中的应用

本文介绍了中空板生产线的工艺流程和控制要求。结合CAN总线的特点，论述了CAN总线在中空板生产控制系统中应用的可行性，并给出了基于CAN总线基础上的塑料中空板生产线计算机控制系统的设计。     

树桩盆景的欣赏

盆景是诗、画、园艺、美学、雕塑、制陶等学科和技艺交融而成的一门造型艺术.盆景是将自然美与艺术美融为一体的一种艺术形式.它源于自然又高于自然,有“无声的诗”、“立体的     

D-T中子穿透铁球伴生γ射线泄漏能谱实验研究

建立了系列厚度为3、6、11、16、21．8cm的铁球基准装置。用BC-501A谱仪测量了D-T中子穿透铁球伴生γ射线泄漏能谱，能量范围为0．5～5MeV。通过能谱分析，观测到铁球厚度对能谱有一定影响。利用MCNP4A程序和t-2、ENDF／B-V、ENDF／B-Ⅵ和FENDL-2等数据库对实验进行了模拟计算，并将计算结果与实验结果进行了比较。γ射线能谱实验误差为4％～6％。     

SO4^·－自由基与酪氨酸反应机理的表征

采用激光光解和脉冲辐解两种技术研究了水及水-乙腈混合溶液中SO4·-自由基氧化酪氨酸(TyrOH)的反应机理.通过两种方法所得结果的相互验证及空白对照和pH对照实验,阐明了SO4·-自由基氧化TyrOH的反应机理,并借助于·OH与TyrOH的加成反应确证了SO4·-自由基与TyrOH通过直接电子转移发生氧化反应的机理.研究表明SO4·-自由基与TyrOH之间的反应不受乙腈加入的影响.     

铝及其合金化学导电氧化生产工艺介绍(Ⅲ)

2化学导电氧化膜的老化后处理 铝件铬酸盐转化膜的主要成分是三价铬与六价铬组成的化合物及铝的铬酸盐,膜层中三价铬与六价铬组成含水的复合物.三价铬的复合物是膜的不溶部分,可使膜具有一定硬度,同时也影响膜的耐蚀性.膜形成之初与尚未干燥时呈无定形状态和凝胶状,其硬度甚低,并具有吸附能力;干燥后,膜层变硬且难以润湿.同时,对铝来说,膜层经过50 ℃处理后,膜层中可溶解的部分六价铬化合物转化为难溶的铬酸化合物,使膜层坚固.随着温度升高,膜层会出现少量裂纹,对抗蚀性和电导性均不利.铝的铬酸盐转化膜在60℃以上处理时,膜层硬化会出现裂纹,导致抗蚀性能下降.因此,浸热水或烘干时温度都不宜超过50℃.     

原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究

采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.