短小芽孢杆菌β-1,4-葡聚糖内切酶基因的克隆及在大肠杆菌中的分泌表达

从一株产碱性纤维素酶的短小芽孢杆菌H12中克隆了编码β-1,4-葡聚糖内切酶的基因,对其基因序列及其酶的结构域进行了分析预测,同时将该酶的基因构建于大肠杆菌表达载体pET20b中,获得重组表达载体pET20b-EglA,将其转化至大肠杆菌BL21(DE3)菌株中进行表达。结果表明,该基因大小为1980 bp,共编码659个氨基酸;对β-1,4-葡聚糖内切酶结构域分析表明,该酶由两个不连续的结构域组成,其一为N-端催化结构域,由糖基水解酶家族9组成,其二为C-端底物结合结构域,由碳水化合物绑定结构域家族3组成;平板实验结果表明,β-1,4-葡聚糖内切酶基因在重组大肠杆菌中得到了良好的分泌表达;SDS-PAGE电泳图谱表明该酶的分子大小约为73 kDa。     

A surface potential-based non-charge-sheet core model for undoped surrounding-gate MOSFETs

A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate (SRG) MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson's equation and Pao-Sah's dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fiRing-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation.     

F-N应力下SOI n-MOSFETs性能退化与栅控二极管产生-复合（G-R）电流的对应关系

本文验证了F-N应力导致的SOI n- MOSFET器件性能退化与栅控二极管的产生-复合（G-R）电流的对应关系。F-N应力导致的界面态增加会导致SOI-MOSFET结构的栅控二极管的产生-复合（G-R）电流增大,以及MOSFET饱和漏端电流,亚阈斜率等器件特性退化。通过一系列的SOI-MOSFET栅控二极管和直流特性测试,实验观察到饱和漏端电流的线性退化和阈值电压的线性增加,亚阈摆幅的类线性上升以及相应的跨导退化。理论和实验证明栅控二极管是一种很有效的监控SOI-MOSFET退化的方法。     

非掺杂环栅MOSFETs的基于表面电势和非薄层电荷的核心模型

A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate （SRG） MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson＇s equation and Pao-Sah＇s dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fitting-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation.     

基于DSP的数码望远相机的研究与设计

随着DSP芯片的功能越来越多,围绕数字信号处理技术和智能化现代光学技术,设计了一款基于高性能DSP芯片的同步可调式双筒望远数码相机.结合高性能DSP芯片数字图像信号处理技术,对数码望远成像系统进行了分析、研究与设计,最终实现对实时远距离图像信息的获取、存储、转换和数字图像的传输与显示.     

辐照损伤合金化制备Mo/Ag层状复合材料

本工作提出一种新的辐照损伤合金化方法,首先采用离子注入技术将离子束注入金属,使其产生包括空位在内的辐照损伤,然后利用辐照损伤来诱发互不固溶金属之间的扩散和合金化,从而实现金属界面之间的冶金结合.扩散层中形成的非晶合金相是形成冶金结合的关键.基于该辐照损伤合金化机制,制备出了高性能的空间飞行器太阳能电池阵互连片用Mo/Ag层状复合材料,这种材料与空间GaAs电池片的单点电阻点焊拉伸强度最高达到了150 MPa,平均为130 MPa,超过了国家军用标准和航天用户提出的指标要求.     

基于热释电器件的NDIR分析仪传感系统设计

针对汽车排放污染检测要求,分析了NDIR分析仪的检测原理,设计了基于热释电器件的NDIR分析仪传感系统。对红外传感器件进行了选择和等效电路分析,进行了传感系统总体设计。该系统精度和灵敏度高,响应速度快,测量范围宽,选择性、稳定性和可靠性好,可以实现快速和在线连续式检测,能较好地满足各种用户的需要。     

示波器检定装置不确定度评定方法分析

文章对建立的示波器检定装置进行了不确定度来源分析,确定了对其不确定度评定的方法,并进行了不确定度的验证,评定结果显示该检定装置稳定可靠,满足示波器检定规程要求,可开展对各类示波器的检定工作,从而确保示波器量值溯源的准确性和可靠性,文中还对各不确定度分量对示波器检定装置不确定度的影响进行了分析。     

“第十二届电信新技术新业务高级研讨会”在京举行——我院“三超光网络”技术获得肯定

由信息产业部主办,中国通信协会承办的"第十二届电信新技术新业务高级研讨会"于9月11日在北京国际饭店举行。本次交流会旨在向工作在通信和信息化岗位上的国家各部委领导和各大通信专网代表,介绍近年来在信息通信技术领域的创新成果,及国家公用网     

椭圆偏振技术的发展与在化学研究中的应用

根据最近文献,对椭圆偏振技术应用于研究电化学体系和生物化学现象的现状进行了综述,包括基础理论发展和各种试验应用,进一步评述了掠射式椭圆偏振技术的应用进展,显示出椭圆偏振技术是一种高效、简便的现场检测手段,具有广阔的发展前景.引用文献39篇.