叶片出口梯形切割对离心泵蜗壳流激噪声影响的研究EI北大核心CSCD

为探究叶片出口梯形切割对离心泵蜗壳流激噪声的影响,以一台比转速为66的单级单吸离心泵为对象,通过定义切割宽度系数δ与径向高度系数γ,设计了9种切割方案。基于RNG k-ε湍流模型对离心泵进行全三维非定常数值模拟,在此基础上采用边界元法(boundary element method,BEM)计算内场噪声,采用结构有限元法(finite element method,FEM)耦合声学边界元方法计算外场流激噪声;分析不同切割方案下离心泵水力特性和噪声幅射特性,经试验方法验证数值计算的准确性。研究表明:动静干涉是离心泵蜗壳流激噪声产生的主要原因,合理的叶片出口梯形切割能使离心泵水力性能基本稳定的同时有效降低动静干涉强度及蜗壳流激噪声水平;声学性能最优切割方案,叶频处的进、出口监测点声压级分别下降13%和7.5%,外场噪声监测点声压级下降2.4%。     

近现代设计史对平面设计专业取向的影响

艺术设计的生命力与创新力并不是凭空捏造,它是理论基础与智慧的显现,是自然生活的启迪和历史经验的积累,没有这些智慧的积累与沉淀,是不能推动设计前进浪潮的。通过设计史的学习,使我们在设计实践中具有明确的思维导向性,提高综合设计素质。     

具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管

研究了有机薄膜晶体管器件.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能.器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104.同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al 电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al 电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

利用辅助掺杂改善红光有机电致发光器件的性能

以Coumarin(C545)做辅助掺杂剂,制作了结构为氧化铟锡(ITO)/N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,-4′-二胺(NPB)/8-羟基喹啉铝(Alq3):C545:4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)/Alq3/LiF/Al的红光有机电致发光器件(OLED).研究了不同掺杂质量分数对器件性能的影响,结果发现,掺C545和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件相比较,其色纯度、亮度及效率均有所提高,器件性能的改善主要是由于掺入的C545提高了由基质Alq3向红光染料DCJTB进行能量传递的效率.     

绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响

制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V·s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.     

利用层次分析法决策工厂电机传动控制方案

用层次分析法确定工程设计方案选择的权重因数,提出了一种考虑选择因素权重的方案优劣评定方法,以工厂电机传动为例进行了方案选择。结果表明,所提方法能反映不同因素对方案评定的影响,评定结果和实际吻合较好。但对于复杂的大型项目,该方法还需要进一步完善。     

基于ARM7的重介参数自动调节系统的设计

针对选煤厂重介工艺参数自动调节系统实时动态监控的需要,本文介绍一种基于ARM7嵌入式微处理器的重介工艺参数自动调节系统。以LPC2119为核心,采用PID控制算法,并用密度计和磁性物含量计分别对合格介质的密度和粘度进行实时在线检测和控制。软件设计中详细介绍了重介参数的控制方案,并有效的将LPC2119强大的管理功能和CAN总线的优点结合起来,使得通信部分能有效的将数据发送至选煤厂集控室。试验结果表明:系统控制精度高、操作简单、实时性好。     

新型防破碎离心机在真空制盐中的应用

制盐过程中由于离心干燥过程会引发粉盐的大量产生,从而影响盐产品的整体质量。文章论述了新型防破碎离心机在真空制盐生产中的实际应用．此轩离心机在防破碎方面的改进是成功的,大大降低了盐的破碎率,提高了盐的品质。     

Organic thin film transistors with a SiO2/SiNx/SiO2 composite insulator layer

We have investigated a SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer structured gate dielectric for an organic thin film transistor（OTFT） with the purpose of improving the performance of the SiO₂ gate insulator. The SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer was prepared by magnetron sputtering.Compared with the same thickness of a SiO₂ insulation layer device,the SiO₂/SiN_x/SiO₂ composite insulation layer is an effective method of fabricating OTFT with improved electric characteristics and decreased leakage current.Electrical parameters such as carrier mobility by field effect measurement have been calculated.The performances of different insulating layer devices have been studied,and the results demonstrate that when the insulation layer thickness increases,the off-state current decreases.     

并五苯有机薄膜晶体管电学性能研究

制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管。用热氧化的方法制备了一层230nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌。研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V.s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2V和1.0×104。