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21.
丙烯酸酯类永久抗静电剂的合成和应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过种子预乳化半连续乳液聚合技术,以苯乙烯(St)、丙烯酸丁酯(BA)和甲基丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵(DMC)为共聚单体,合成一种新型的亲水聚合物,并作为抗静电剂应用在ABS树脂中.通过对引发剂、乳化剂用量考察,得到了乳液聚合最佳工艺,并研究抗静电剂对ABS试样的抗静电性能和微观形态影响.结果表明:在聚合反应温度70℃下,乳化剂用量为3.5%、引发剂用量为0.8%,制备的乳液稳定性能最佳,转化率达约97.43%.亲水聚合物的加入使ABS试样具有显著的持久抗静电性,表面电阻下降3~5个数量级.通过SEM观察ABS试样形态结构. 相似文献
22.
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24.
25.
26.
高功率半导体激光器技术发展与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展.近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用.将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势. 相似文献
27.
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。 相似文献
28.
高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管 总被引:4,自引:0,他引:4
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。 相似文献
29.
介绍了漳卫南运河牛角峪退水闸金属结构设计。由于闸门的止水型式、滚轮支承轨道的型式以及启闭机传动方式与传统的设计有不同之处,因此着重从以上几点进行阐述。 相似文献
30.
成庄煤矿供电自动化系统的技术改造 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对成庄矿供电系统的设备及保护装置的技术改造,采用工业以太网和光缆方式组成电网监控系统实现遥测、遥控、遥信和遥调。重点介绍系统结构、功能。经实际运行,有效提高了矿井生产的管理水平,实现了矿井供电系统运行信息的安全监控。 相似文献