一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路

本文给出一种适用于低电压、高开关频率升压型DC—DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，它的工作电压最低可达1．5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路设计思想，并且给出最终设计电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，经Hspice仿真验证达到设计目标。     

氟烃基改性硅油的合成及其消泡性能

以丙烯酸(AA)和1H,1H,2H,2H-全氟癸醇(PFD)为原料合成了丙烯酸氟醇酯(AAFDE),用AAFDE与含氢硅油(HPS)硅氢加成得到氟硅油(FPS),确定了合成的较佳工艺条件,同时测定了FPS的表面张力和对柴油体系的消抑泡性能。结果表明,合成AAFDE较佳的工艺条件为:在浓硫酸(SA)催化下,甲苯为溶剂,n(AA)∶n(PFD)∶n(SA)=1.2∶1∶0.3,反应6 h,产率69%。合成FPS较佳的工艺条件为:无溶剂存在条件下,m(AAFDE)∶m(HPS)=1.1∶1,催化剂H2PtC l6的用量为8μg/g(以Pt计),110-120℃反应1 h,产率90%。用红外光谱(IR)对AAFDE和FPS进行了分析。25℃下,FPS的表面张力为21.4 mN/m,明显低于HPS(22.6 mN/m)。在柴油中,通过摇瓶法测得合成的FPS比HPS和烷基硅油(APS)具有更好的消抑泡性能。     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.     

光子晶体应用于在浓度检测上的模拟研究

采用平面波展开法数值计算了对二维光子晶体在TE和TM偏振态下的带隙进行了计算,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据,选择二维三角晶格光子晶体(GaAs)作为基底,在空气孔内填充浓度(质量百分浓度)为一定的待测溶液硫酸铜材料,通过计算得到了温度为298K情况下介电常数在71.917-62.530变化时,待测浓度的对应关系,并由此得到液体填充的光子晶体在不同偏振模式下光子禁带结构.结果表明,以硫酸铜的水溶液作为空气圆孔中的介质材料,当溶液质量百分浓度不同时光子带隙(PBG)发生变化。这对溶液浓度检测应用方面有一定的指导作用。     

基于改进双端法的高压交流输电线路故障定位

现有输电线路行波故障测距方法由于受行波波速的不确定性以及输电线路弧垂的影响,容易出现较大的定位误差.为此,提出了一种无需波速和线路长度整定的线路故障行波定位方法.利用线路两端的行波信号检测装置记录故障电压行波波头到达时间,同时根据电压行波折反射过程中的传播路径列出关于距离、速度和时间的方程组,经过数学变换可以消去线路弧垂的影响,并在线路上实时在线测量行波速度.用PSCAD软件对双端结构的输电线路进行了仿真,实验结果表明该方法具有好的适应性,在实际测距中对线路电气参数依赖性低,不受故障类型,故障位置和过渡电阻等因素的影响,定位误差较小,原理简单,具有较高的准确性和良好的适用性.     

32×32位三端口寄存器堆的加固设计

为了克服集成电路在辐射环境下所受的影响,在SMIC0．18μm工艺下,设计一款应用于LEON3处理器核中的加固的32X32位三端口寄存器堆．存储单元内部采用改进的双向互锁存储单元（DICE）N,外围组合电路采用C-element结构．电路模拟结果表明,室温条件下,工作电压为1．8V,寄存器堆工作在200MHz时,能够实现两读一写的功能,并能同时消除单粒子翻转（SEu）和单粒子瞬态（sET）效应．与汉明码加固方式相比,该方法具有较高的抗辐射能力和较快的速度．     

东深原水生物硝化工程试运行小结

东深原水生物硝化工程采用生物接触氧化法对微污染原水进行处理，设计处理规模为400万m     

燕山水库汛限水位动态控制方案研究

随着全球极端气候越发频繁、水资源时空分布更加不均,水资源供需矛盾日益加剧。为充分利用水库调控水资源能力和发挥工程效益,采用预蓄预泄法对燕山水库汛限水位进行动态控制方案研究,首先基于下游防洪安全,根据降雨与洪水预报信息,采取预蓄预泄方案确定汛限水位上限值;再基于大坝自身安全和水库超泄能力分析确定了主汛期与后汛期的最高汛限水位。与原汛限水位104.20 m相比,考虑洪水预报信息情况汛限水位可调整至104.77 m,考虑降雨预报信息时可调整至105.36 m。计算分析结果表明,调整后的动态汛限水位对大坝自身安全及下游防洪安全影响较小,提高了水资源可利用率,具有可实施性。     

大坝安全风险评价的模糊层次综合模型

为了对大坝的安全进行有效地识别和评价,对大坝运行中的安全风险进行了分析和归纳,建立了模糊层次综合特性评价模型,运用层次分析法确立了各因素的权重,得到了评价矩阵并对其做了模糊化处理,通过运算得到综合评价结果,为大坝安全风险的控制及评测提供了科学依据.     

泛克立格法在非平稳区域化变量下渗透系数研究中的应用及存在的问题

考虑水文地质参数在时空上有较强的变异性,运用正交多项式方法确定渗透系数的二次漂移式,进而确定出渗透系数剩余R（x）的变差函数γR（h）,运用泛克立格法对渗透系数变异程度值进行了验证,结果表明非列线数据运用克立格法计算是符合工程要求的。