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251.
伴随我国经济全面转型以及电力体制改革的稳步推进,市场机制在资源优化配置中将发挥越来越重要的作用。如何进一步激发市场活力,持续推进电力市场化进程是电力交易中心面临的难题。北京地区通过构建市场指数全面分析了近年市场的运营情况。首先,总结了国内现货试点的电力市场发展现状和北京地区电力交易规则的主要变化,从政策层面分析了交易规则改革的影响。然后,结合市场综合指数的编制方法和应用情况,提出了3个适用于评价北京地区电力市场交易指数。最后,运用市场交易指数进行算例分析,一方面验证了指数的合理性,一方面论证了改革的对电力市场的推动。 相似文献
252.
253.
建设坚强智能电网助推酒泉风电基地发展 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对坚强智能电网目标及甘肃特点的分析,探讨风电预报预测系统、需求响应等性价比高的技术手段的应用,描绘出未来接纳大规模风电的甘肃坚强智能电网的愿景.利用大规模风电集聚特性和风光互补的特性,有利于大规模风电光电的并网运行.通过加强对风能和太阳能的预测,降低系统备用容量.如果在发电侧就采用大容量储能技术,系统备用容量将进一步降低,大大节约发电成本.在极端情况下,控制出力,保证系统的安全性.用电侧采用了需求响应机制,需求可以直接响应风能和太阳能预测,进一步降低风电等对系统调峰的要求.在需求侧加入PHEV及其他大容量储能装置,由控制系统统一操作,大大增加系统的可靠性. 相似文献
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255.
制备了不同栅极宽度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,通过测量各器件电容-电压曲线和转移特性曲线,得到了栅沟道载流子输运特性以及亚阈值摆幅,结果显示当栅极宽度从10μm增加到50μm时,亚阈值摆幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亚阈值摆幅值随栅极宽度变化的原因,发现不同的栅极宽度对应不同的极化散射强度,亚阈值摆幅的变化是由栅沟道载流子输运特性和极化散射效应造成的.为AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管开关性能优化提供了新的视角与维度,将促进其更好地应用于无线通信、电力传输以及国防军工领域. 相似文献
256.
研究了具有不同栅漏间距的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的亚阈值摆幅特性在0.4 MeV质子辐照(质子总注量为2.16×1012 cm-2)后的变化规律。质子辐照前,各器件的亚阈值摆幅基本一致;质子辐照后,器件的亚阈值摆幅随着栅漏间距的减小而逐渐降低。基于辐照前后器件的电容-电压曲线和输出特性得到低场载流子输运特性,并据此分析了亚阈值摆幅的变化原因。发现与器件尺寸相关的极化散射效应是不同尺寸器件在辐照后亚阈值摆幅发生不同变化的主要原因。为AlGaN/GaN HEMT的性能优化提供了全新的视角与维度。 相似文献