页岩储层压裂水平井气-水两相产能分析

传统的页岩气产能模型忽略了压裂液返排期间气-水同流对产能的影响,针对该问题,建立综合考虑页岩气吸附解吸、扩散、滑脱效应、应力敏感、毛管渗吸效应的气-水两相渗流数学模型,并基于有限差分,采用SS方法求解得到页岩储层产气规律及地层流体饱和度分布。对比分析不同裂缝网络渗透率、人工主裂缝渗透率、人工主裂缝长度、页岩气吸附解吸、毛管力作用对页岩气产量的影响,结果表明:生产初期,受压裂液返排的影响,日产气量呈先升高后降低的趋势,出现产气峰值,初期产气量明显低于不考虑压裂液返排所预测的产气量,但后期产气量基本一致。裂缝网络渗透率越高、人工主裂缝渗透率越高,产气量峰值出现的时间越早且初期产气量越高。人工主裂缝越长,产气量峰值出现的时间越晚,初期产气量越高。页岩气吸附解吸对初期产气量的影响不明显。考虑毛管力作用,压裂液返排率越低,产气量越高。     

铌对管线钢奥氏体分解的影响

为了研究铌对管线钢奥氏体分解的影响规律,采用激光超声波技术对低Nb钢和高Nb钢的原始晶粒生长行为进行测量,并对不同冷却速率、钢中不同Nb状态(固溶或析出)和不同奥氏体晶粒尺寸下的试样进行了光学金相和显微硬度检测,研究了在连续冷却过程中奥氏体晶粒尺寸、冷却速率和Nb状态的函数关系。结果表明, Nb的溶解对奥氏体分解有很强的影响,其抑制了贝氏显微组织细化的转变温度,增加了HAZ粗晶区的硬度,特别是在大奥氏体晶粒尺寸及钢中Nb含量较高的情况下,其影响效果更加明显。     

低压电动机防晃电模块的类型及参数设置

供电网电压瞬间波动会造成电压瞬间降低,使正常工作且吸合的交流接触器释放,引起用电设备停机。低压电动机防晃电措施采用电动机综保防晃电再启动功能和安装防晃电模块,用来避免晃电引起运行设备停机。针对防晃电模块的类型和功能,文中分析了防晃电模块在分类、选型及应用中的注意事项,有助于掌握设备的性能、保障设备平稳运行。     

燃气轮机及燃气轮机油的发展

文章概述了燃气轮机的工况特点,介绍了燃气轮机在天然气发电和分布式能源领域的应用,中国燃气轮机技术发展历程,中国燃机的市场发展现状以及燃气轮机的发展趋势,并且对代表现在较高水平的三菱日立燃气轮机油的规格进行了介绍,最后对燃气轮机及燃气轮机油发展趋势进行了展望。燃机制造技术未来发展上呈现功率大、排放低、效率高、设备可靠性高的趋势。燃气轮机油的发展趋势是油品具有超长寿命,产生超低油泥。     

ZnSxTe1—x三元混晶的光学性质研究

报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ〈１）混晶的喇曼菜射和光致姚研究，室温下的喇曼散实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为，研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱，背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光至发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光，ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子自陷激子的     

1.30μmDFB激光器组件的设计和制做及其工作原理

本文自行设计和制作了１．３０μｍＤＦＢ激光器组件的讨论了光隔离和光耦合原理。由于采用的激光器－光隔离器－光纤的一体化结构，大大增加了该组件的可用性。在实验中得到高达５５％的耦合效率。     

HgCdTe注入工艺研究

ＨｇＣｄＴｅ是制造焦平面阵列最受关注的材料，注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但ＨｇＣｄＴｅ特性“娇嫩”，如Ｈｇ易分凝，因此研究这种的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响，研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入ＨｇＣｄＴｅ的热学分析，实验研究了ＨｇＣｄＴｅ注入的工艺条件，束流与注入能量是Ｈｇ分弟的主要因素。     

前进中的可食性包装

根据国际包装工业发展情况统计,食品包装材料约占全部包装材料用量的50％。分为木质材料、纸质材料、金属材料、玻璃材料和塑料。由于塑料便宜易得、质轻类广、性能多样,目前在世界各国得以最广泛的应用。然而,塑料包装正带来日益严重的环境污染问题,已引起众多国家高度重视。据美国1989年调查表明:在破坏环境的垃圾中塑料占72％,其中很大一部分来源于人均每天高达数磅的食品塑料包装废弃物。当今流行     

专题讲学

二、点粘结法棉/涤非织造布的物理性能除了上述采用光面轧辊轧粘实验获得了一些成果外,又进行了另一项研究,即以棉/涤混纺制成网絮后,以凸纹点轧辊热处理成点粘结型非织造布为试样,进一步研究其张力特性与挠性。在这项实验中采用的原料还是一样为经漂练过的棉纤与Kodel—438聚酯短纤维。甚至加工处理     

最大振荡频率为200 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

本文报道了fmax为200GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。外延材料结构采用了InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用了凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaN HEMT。器件饱和电流达到1.1A/mm,跨导为421mS/mm,截止频率（fT）为30GHz,最大振荡频率（fmax）为105GHz。采用了湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50GHz,最大振荡频率提高到200GHz。