无回馈逆变技术的实现

提出了一种无回馈逆变技术的方案，并对其双重的主电路拓扑结构进行了详细的讨论。     

考虑频率约束的孤网风电渗透率极限评估

大规模具有间歇性、波动性且难以预测的风电接入孤立电网后将会给其频率稳定性带来一系列挑战,以中电投霍林河循环经济示范工程孤立电网为背景,将风电波动视为平稳随机过程并采用平均功率谱密度提取大量风电波动信息,不借助商业软件建立了考虑频率约束的风电渗透率极限评估模型。基于该模型计算了在频率稳定约束下霍林河孤网系统最大风电消纳能力,从而为电网规划提供指导。最后,对不同类型的机组频率响应能力进行分析,考虑增建一部分燃气电站提高电网的风电消纳能力。也为电网后续升级和建设提供了参考依据。     

对我国高等职业技术院校发展趋势的探讨

阐述了高等职业技术教育应培养应用型、技术型、技能型“三型人才”，其毕业生不仅应是职业型人,这应成为素质型人才，并从培养目标，教学计划与课程结构，培训过程等方面探讨高职院校今后的发展趋势。     

转化气蒸汽发生器内孔焊技术

主要介绍我国重质原油加工技术中转化气蒸汽发生器的研制,通过整体制造工艺研发,并采用标准TIG20-160机头配合管子内孔对接焊接的特殊焊炬及定位机构,实现入口侧管板与换热管的内孔对接焊,保证了对接接头质量,攻克了相关制造难点,为该类转化气蒸汽发生器的国产化制造积累经验。     

大塘畲地区铀矿矿化特征及找矿潜力分析

大塘畲地区的铀矿化主要赋存在上白垩统叶塘组上段e层晶屑凝灰岩以及喷出岩集块熔岩、球粒流纹岩中,受岩石裂隙及层间破碎带控制;区内铀矿体形态较简单,呈似层状.文章论述了大塘畲地区铀矿的地质背景、地质特征以及控矿因素,对找矿前景进行了分析.     

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）,研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。     

Ni/α-Al2O3纳米复合电镀工艺的研究第三部分——采用双脉冲电源电镀时电源参数的优化

采用双脉冲电源,研究了电源参数对Ni/α-Al2O3纳米复合镀层耐蚀性的影响,得到最佳的脉冲参数为:正向脉冲频率1000Hz,正向脉冲占空比0.4,正向工作时间5ms,正向平均电流密度1.1A/dm2,反向脉冲频率1000Hz,反向脉冲占空比0.4,反向工作时间1ms,反向平均电流密度0.44A/dm2。     

月桂酸改性氧化锌纳米颗粒的Pickering乳化性能研究

研究了不同程度月桂酸表面改性氧化锌纳米颗粒的Pickering乳化性能。通过调节月桂酸用量来改变氧化锌纳米颗粒表面亲疏水性(接触角θ),并探讨了不同接触角氧化锌纳米颗粒稳定的Pickering乳液的乳滴粒径、相转变及稳定性变化规律。结果表明,部分亲水的氧化锌纳米颗粒稳定(三相接触角40°～60°)的O/W型乳液具有最小的液滴尺寸和最优的稳定性。在最优条件下利用Pickering乳液聚合法制备了表面负载氧化锌纳米颗粒的有机硅弹性微球,粒径为5～20μm。     

P型氮化镓退火及发光二极管研究

对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750°C、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小。