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141.
点火线圈由初级线圈、次级线圈、磁铁、铁芯及绝缘壳体等零件组成,汽油发动机利用点火线圈将低压电转变为高压电,传递给火花塞产生电火花点燃缸内混合气,从而实现电能到热能的转换.基于其产生高压电的特殊性,点火线圈表面开裂、内部击穿为点火线圈常见故障现象.点火线圈出现故障后,无高压电产生或高压电不能完全传递至火花塞,引起动力缺失... 相似文献
142.
应用密度泛函理论,对CO分子在Cu(100)表面的吸附过程进行了研究。计算了CO分子以垂直方式在3种不同吸附位置吸附时CO分子和Cu(100)表面原子的电荷分布。结果表明:与碳原子最近邻的铜原子表面上发生明显电荷转移,而其他表面原子及体相原子的电子结构没有变化。Mulliken集居数及局域态密度分析表明,吸附过程中CO分子与表面Cu原子相互作用主要是CO分子内杂化轨道和3d,4s,4p(Cu)的贡献。 相似文献
143.
研制了Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As单平面掺杂PHEMT器件(SH - PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其特性进行了比较.由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计,DH- PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH- PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件. 相似文献
144.
145.
146.
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08. 相似文献
147.
提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因. 相似文献
148.
149.
为了分析蒸发波导条件下气象参数变化对电磁波传播的影响,利用Paulus-Jeske(P–J)模型,得到不同气象参数条件下的蒸发波导折射率剖面,然后利用抛物方程模型计算雷达探测距离。为今后利用气象数据和蒸发波导参数预测雷达电磁波传播距离提供一定的参考。 相似文献
150.
主要阐述了畜禽(生猪)屠宰加工过程中重点环节卫生与消毒操作方法。第一次提出宰前污染区,宰后区(分半污染区与清洁区)。宰前污染区包括宰前动物装载前的车辆检查及运输过程卫生要求,运输车辆的卫生消毒,宰前圈舍卫生消毒,宰前猪体表淋浴卫生消毒;宰后半污染区包括设施(无害化)卫生消毒,刀具及特殊工种工作服卫生消毒,半污染区及空间卫生消毒等;其他为清洁区卫生消毒。搞好生猪屠宰过程的卫生消毒工作,可以提高肉品的卫生质量,防止动物疫病的传播,特别是生猪屠宰加工(肉类食品)企业做好非洲猪瘟疫情的防控具有重要意义。 相似文献