基于MFA与PID控制器的串级控制系统的实验比较

通过实时控制试验,对比了MFA与常规PID分别作为外环控制器的串级控制系统以及单闭环MFA与常规PID控制器的抗干扰能力,试验表明,MFA的控制效果要比PID好,调整参数也比较简单.     

有机溶剂中K2Cr2O7共振区旋光色散研究

根据马吕斯定律，通过实验分析溶于有机溶剂酒石酸钾中的K2Cr2O7共振区的旋光色散（ORD），给出有机环境下使实验产生偏差的影响因子，并根据提出的单共振区ORD的正弦曲线分布模型，对多共振区采用正弦叠加法，拟合多共振区的ORD曲线，在波长350～680nm波段内，拟合曲线与实验曲线非常逼近，从而为解决共振区的ORD提供了一种准确简捷的方法，使共振区内的ORD能以具体的函数形式定量的表示出来，对分析共振区内的ORD有重要的理论参考价值。     

高职高专《工程力学》教改探讨

本文从静力学和材料力学部分之间的联系,静力学与物理学的关系及材料力学各基本变形的特征和研究思路,探讨了工程力学的教学方法。     

弱磁场中向列相液晶TEB30A薄膜自衍射现象研究

采用1.5 mW低功率的He-Ne激光(632.8 nm)正入射向列相液晶TEB30A薄膜,研究向列相液晶TEB30A薄膜在不同强度的弱磁场(0、0.4649、0.5062和0.5185 T)中的远场衍射特性。实验结果表明,向列相液晶TEB30A薄膜在4种不同强度的弱磁场(0,0.4649,0.5062和0.5185 T)中都能产生远场衍射。衍射图样会随磁场强度的增加而发生明显的变化。衍射环的数目增加,衍射环宽度变宽,衍射场向外拓展。当磁场强度为0.5062 T时,衍射环上出现了近似相互平行的干涉直条纹。当磁场强度达到0.5185 T时,干涉直条纹更加明显的趋于平行。在弱磁场的作用下,激光束在远场的散度变得明显。基于Kirchhoff-Fraunhofer衍射积分原理的理论模拟结果表明,当激光通过处在弱磁场中的向列相液晶TEB30A薄膜时,横向非线性相移会增大。随着弱磁场强度由0 T增加到0.5185 T,非线性相移也由4 π增加到20 π。弱磁场引起样品非线性相移增大,导致其远场衍射图样发生了变化。远场衍射光强图样的变化也是透射光能量分布的改变,因此,可将弱磁场调控向列相液晶这一技术应用于磁控光开关及光限幅等领域。     

世界炭黑市场竞争态势

世界炭黑工业经过几次大规模的资产重组和兼并,全球炭黑的生产和经营活动更加向几家大型跨国公司集中。到目前为止,世界炭黑生产能力的70%竟然操纵和控制在8家公司手中。随着汽车和轮胎产业向发展中国家和低薪资地区转移,跨国炭黑企业也纷纷在这些国家和地区建设新厂或扩大产能,市场竞争日趋激烈。目前,世界炭黑工业正在朝着市场全球化、技术高新化、规模大型化和品种多样化的方向发展。近年来,大型跨国公司对原料实行大批量的集中采购,既降低了成本,又保证了原料的稳定供应,从而更强化了竞争优势。1全球炭黑需求量以4%的速率递增全球炭黑需…     

光学法确定石英晶体的光学轴

为了确定位于石英晶体入射面内光学轴的位置,采用自然光沿石英晶面以一定的入射角斜入射,并根据自然光在石英晶体内的传播特性,测量出o光和e光出射光线间的垂直间距以及界面上两出射光点的间距,运用几何作图法,通过计算给出光学轴位于石英晶体入射面内的情况下的理论一般公式,且以实验得以验证,从而提供了一种可用光学法确定光轴位置的方法。     

衍生化气相色谱法分析N.N‘—双三甲硅烷基脲纯度

本文提出了以乙酸乙酯为溶剂，在催化剂在的作用下，Ｎ．Ｎ‘－双三甲硅烷基脲与苯酚反应定量生成三甲基苯氧基硅烷，采用气相色谱法测定三甲基苯氧基硅烷含量，以此计算Ｎ．Ｎ’－双三甲硅烷基脲纯度并对反应体系和反应条件以及色谱条件进行了较为详细的研究，对本方法的准确精密度进行考查，相对误差〈２．５％、变异系数〈１．０％，认为方法准确简便可行。     

炭/炭复合材料的抗氧化研究

从材料特性出发，分析了炭／炭复合材料抗氧化问题，探讨了提高复合材料抗氧化能力的方法。     

热压烧结法制备C_f/TiC/Cu复合材料的组织及性能

采用热压烧结法制备Cf/TiC/Cu复合材料,研究Cf/TiC/Cu复合材料的界面反应原理及微观形貌,以及碳纤维(Cf)含量对复合材料密度、强度等性能的影响。结果表明:Cu-C-Ti三元体系在低于1100℃时,溶解在铜液中的钛原子与碳纤维接触发生反应,在碳纤维表面形成以TiC为主相的过渡层。该过渡层靠近铜液的一侧可能覆盖着一层钛铜化合物膜,TiC通过该膜层与铜紧密结合在一起,改善铜与碳纤维的界面结合,因此有利于提高Cf/TiC/Cu复合材料的性能。在钛含量不变的情况下,随碳纤维含量(质量分数)的增加,材料性能有所降低,当碳纤维含量为5%时,Cf/TiC/Cu复合材料的综合性能最好,其电阻率低达0.054μΩ·m,平行于压力方向的抗弯强度为237.90MPa,垂直于压力方向的抗弯强度为237.44MPa。