薄栅氧化层相关击穿电荷

栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系.利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量,对相关击穿电荷进行了测试和研究.结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡．提出薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的新观点.建立了SiO2介质击穿的物理模型并给出了理论分析.     

GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法

测量了应力前后Ga As PHEMT器件电特性的退化,指出了Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起.栅极下Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移.空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,可以对Ga As PHEMT器件的电性能和可靠性进行评估     

考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型

推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于量子束缚效应的存在,第一个子带高于导带底,这等效于禁带变宽.因此源漏端的势垒高度提高,载流子密度降低,漏电流降低.以前的模型仅考虑由于镜像力导致的肖特基势垒降低,因而不能准确表示漏电流.包含量子束缚效应的漏电流模型克服了这些缺陷.结果表明,较小的非负肖特基势垒,甚至零势垒高度,也存在隧穿电流.二维器件模拟器Silvaco得到的结果和模型结果吻合得很好.     

电荷泵电路功耗优化设计及改进

通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。     

异步时钟亚稳态及FIFO标志位的产生

在实际工作中常常遇到由异步时钟产生亚稳态的问题。针对这个问题阐述了几种解决方案,其中异步FIFO应用更广泛。在FIFO中关键的问题是标志位的产生,提出了一种新的异步比较产生空满标志位,然后再利用锁存器实现标志位与时钟的同步,同时在Cadence的EDA平台上实现了逻辑仿真和时序仿真。     

黄河水资源保护管理中的经济手段

针对黄河水资源保护管理中存在的主要问题，对管理中可采用的经济手段进行了初步探讨，从建立水资源市场、正确量化水环境价值、建立健全收费制度和建立生态破坏或水资源污染经济损失评估机制等方面提出了具体的管理措施，对黄河水资源保护管理和研究具有重要的意义。     

静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理

基干静电敲电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究，考虑了源／漏寄生串连电阻的影响，建立了源／漏接触区的电流集中模型．由模型分析表明，不同的温度和掺杂条件下，源／漏寄生串连电阻会引起器件源／漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中．在器件源端产生新的热点．影响了源／满端的击穿特性．很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理．     

一种新的用于RFIC ESD保护的双槽LVTSCR

低压触发硅控整流器件（Low-Voltage Triggering Silicon-controlled Rectifier,LVTSCR）由于具有高的放电效率和低的寄生参数,在ESD防护方面存着诸多优势,尤其对于深亚微米集成电路和高频应用领域。本文对影响LVTSCR回退（snapback）特性曲线的几个重要因素和它的配置方式作了详细的分析和评价,这些参数包括阳极串联电阻、栅电压以及器件的结构和尺寸。并且提出了一种双槽LVTSCR结构,该结构可以获得较高且容易调节的维持电压,从而使其snapback特性很好地符合ESD设计窗口规则。论文的最后讨论了RFIC中采用LVTSCR的ESD保护策略。     

异质栅全耗尽型应变硅 SOI MOSFET二维解析模型*

本文首次并建立了异质栅全耗尽型应变Si SOI (DMG SSOI) MOSFET的二维表面势沿沟道变化的模型．并对该结构的MOSFET的短沟道效应SCE (short channel effect),热载流子效应HCE(hot carrier effect),漏致势垒降低DIBL (drain induced barrier lowering)和载流子传输效率进行了研究．该模型中考虑以下参数：金属栅长,金属栅的功函数,漏电压和Ge在驰豫SiGe中的摩尔组分．结果表明沟道区的表面势引进了阶梯分布,正是这个阶梯分布的表面势抑制了SCE,HCE和DIBL．同时,应变硅和SOI(silicon-on-insulator)结构都能提高载流子的传输效率,特别是应变硅能提高载流子的传输效率．此外阈值电压模型能者正确表明阈值电压随栅长比率L2/L1减小或应变Si膜中Ge摩尔组分的降低而升高．数值模拟器ISE验证了该模型的正确性．     

双台阶式埋氧SGOI自加热效应的数值研究

To reduce the self-heating effect of strained Si grown on relaxed SiGe-on-insulator(SGOI) n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(nMOSFETs),this paper proposes a novel device called double step buried oxide(BOX) SGOI,investigates its electrical and thermal characteristics,and analyzes the effect of self-heating on its electrical parameters.During the simulation of the device,a low field mobility model for strained Si MOSFETs is established and reduced thermal conductivity resulting from...