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41.
42.
为了解决传统的硒基复合正极材料导电性差,循环寿命短,倍率性能差,活性物质大量流失的问题。本文采用SiO2纳米球为模板,N,N’-二水杨醛乙二胺钴为钴源,盐酸多巴胺为氮源和碳源,合成了一种新型的钴-氮共掺杂空心碳球(Co-N-C),并将其作为硒正极宿主材料复合得到Co-N-C/Se复合正极。在0.5C充放电电流密度下,Co-N-C/Se复合正极材料循环200圈后,比容量仍高达238 mAh·g-1,且经过阶梯放电,在40圈后,2.0C大电流充放电密度下,比容量仍能维持在222 mAh·g-1。利用导电碳骨架、多样性的化学吸附位点和催化活性位点协同作用成功获得高比容量、大倍率性能及长循环寿命的Li-Se电池。  相似文献   
43.
制备了一种挠性导热绝缘环氧胶,讨论了改性填料添加量对材料综合性能的影响,并探讨了最佳固化条件。随着填料填充量的增加,材料的热导率大幅提高,粘接力、耐折性及介电性能有所下降。通过实验确定了材料在固化温度为170℃,固化时间为60min的条件下能完全固化,剥离强度最佳。在最佳配方及最佳固化工艺下,所得胶片的热导率为2.31 W/m K、介电常数为4.87、介电损耗为0.058,所制挠性覆铜板的剥离强度为2.20 N/mm,挠曲性能优良。所制备的挠性导热绝缘环氧胶综合性能良好,能满足FCCL的生产要求,可解决电子元器件的散热问题。  相似文献   
44.
针对电磁阀阀体及挡铁过盈装配合格率低的问题,从过盈装配关键工艺参数确定以及装配工艺方法两方面开展了过盈装配工艺技术优化研究。从过盈配合影响因素入手,根据电磁阀工作机制分析其物理及几何结构,并对过盈装配过程进行理论计算,从而给出过盈量选取的理论指导。同时根据某型号电磁阀结构设计工装,对比冷压装配法以及温差装配法的压装曲线,并对压装后的结构可靠性进行分析,发现温差装配法比冷压装配法具有较高的稳定性及可靠性,在电磁阀装配过程中可推广应用。  相似文献   
45.
双层楼板施工技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
中央电视台电视文化中心(CCTV)工程由主塔楼和裙楼两部分组成,主塔楼又由北酒店、南酒店及核心筒组成。南、北酒店之间通过钢桁架形成闭合的结构,钢桁架通过预埋件与南、北酒店墙体及悬挑楼板相连(图1)。设计单位为了增强悬挑楼板的强度及刚度,将悬挑楼板设计为双层楼板,双层楼板与边梁及墙体之间形成完全封闭的中空部分(图2,3),上层楼板与边梁及墙体之间不允许留设施工缝。  相似文献   
46.
包封膜是挠性印制电路板(FPC)的外层保护材料,用于保护未经特殊处理的线路不受环境和人为因素的损害。文章制备出一种可快速固化的白色涂料,涂覆于PI薄膜上,应用于FPC包封膜的生产中,可以提高生产效率,降低生产成本。文章主要研究了涂料的固化工艺、热学性能及涂层的白度、光泽度、附着力、剥离强度、耐锡焊性等性能。实验结果表明,涂料具有固化速度快、附着力强、柔韧性好、耐热性能优越等特点,满足FPC包封膜生产需求。  相似文献   
47.
研究了6个品种红枣的香味物质,并探索不同品种红枣香味物质的主要差异变量。采用顶空固相微萃取技术对6个不同品种红枣样品的香味物质进行萃取,经气相色谱质谱联用仪的分离和检测,利用主成分分析和相关性分析法分析6个不同品种红枣样品香味物质的主要差异。结果表明,6个不同品种红枣的主要香味物质共检测出34种,其中酸类物质是其主要的香味物质,共12种,其次是烃类6种、芳香族类4种、酯类2种、醛类3种、醇类2种、酮类2种和杂环类3种。这些香味物质含量的差异,形成了不同品种红枣风味特征。结合感官评定,对红枣香气质量进行综合评价,可得:主成分分析结果与感官评价结果一致,因此红枣香味物质的主成分分析可以作为红枣香气品质潜在的评价方法。   相似文献   
48.
为深入了解直叶片垂直轴风力机的气动性能,并为垂直轴风力机优化设计提供思路,采用Fluent中的滑移网格技术对垂直轴风力机的流场进行了三维数值模拟。文中分析了该垂直轴风力机风轮流场的变化、风轮同一时刻不同截面处的流场分布特点、同一叶片在一个周期内处于不同相位角时的速度分布特性,并利用力矩系数的监测值及相关计算公式得出该风力机的风能利用系数。得出了垂直轴风力机进入稳定状态后流场变化具有周期性,尾流区域不断变窄,流场分布与所处相位角有关等结论,并在分析的基础上提出了一种在结构上可能具有更优潜质的变形垂直轴风力机。  相似文献   
49.
稠油油藏是一种特殊油藏,具有黏度高、密度大、胶质沥青成分高、流动性差的特点,存在开发难度大,生产成本较高的难点。随着该类型油藏的不断开发,单纯依靠天然能量开采已不能满足生产需要,采取新技术、新方法解决稠油开采难题成为当务之急。本文论述该类型油藏提高采收率的方法,为扩大规模应用CO_2吞吐提高区域采收率提供参考。  相似文献   
50.
InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求.为了获得高迁移率特性,通过直拉法(Cz)生长了不同Te掺杂量的InSb:Te晶体.利用霍尔测试仪测量晶体电学特性,结果表明,InSb:Te晶体在77 K下的导电类型为N型.随着Te掺杂浓度从1016 cm-...  相似文献   
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