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进入90年代以来,我国各大江河流域相继发生了特大洪水或较大洪水,江河堤防作为抵御洪水的主要屏障,在抗洪斗争中发挥了重要作用,但同时也暴露出堤防工程存在着许多严重问题。特别是经历了1998年长江大洪水的严酷现实后,党中央、国务院对整治江湖、兴修水利做了... 相似文献
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简要叙述高压电动机微机综合保护功能判据,重点探讨综合保护的整定计算原则。其中对电流速断保护在电动机启动后定值是启动时定值一半的原则,FC回路负序过流考虑断相后的保护定值,提出了不同看法。对过热保护、堵转保护、过负荷电流保护等定值的计算,根据实际运行经验,探讨了其较为合理的计算方法,最后对综合保护提出了进一步完善的改进意见。 相似文献
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本文分析了中厚板传统手工双面焊存在的诸如打底焊焊缝质量无法保证,需用碳弧气刨清根;工人劳动强度大;生产效率低;焊接质量不稳定等主要问题。为提高打底焊焊道质量,不用清根使背面得到良好的凹成形,研制了适合X形坡口的梯形体陶瓷衬垫。探讨了焊缝背面成形的主要影响因素及控制方法。 相似文献
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针对现场测定中存在的通风阻力路线不闭合的情况,提出了主要通风机测定及其性能曲线应用的改进意见。 相似文献
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在备受业界瞩目的第八届高交会上的一个展厅里。深圳茁壮网络公司的员工正在通过遥控器。让用户轻松地看电视、玩游戏、上网。体验丰富的数字化内容。这就是该公司iPanel交互电视带给用户的“十尺体验”。 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献