栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中.     

复合式图像监测技术在井下测量中的应用

煤矿井下的空间变形是煤矿开采过程普遍存在的一种现象,即时对巷道变形预警可以保证煤矿井下安全生产,考虑到井下巷道中光源色温、光线照度等条件限制,以及井下作业环境粉尘较大,会造成获取的井下巷道图像失真甚至无法获取有效信息。本系统采用双目视觉和激光测距相结合的方法来提高井下空间可视化环境的测量效果,通过数据比较实现处理和分析图像,可以长时间、精确地、非接触地进行井下巷道变形和围岩形貌的测量。