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本文归纳总结了水利水电工程水工设计方案对比的重要性及原则,并对方案设计、工程投资、环境影响等方案对比因素进行了论述。 相似文献
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采用计算机辅助设计技术设计多孔材料的结构。用离心灌注法将高固相含量的β-磷酸三钙(β-tricalciumphosphate,β-TCP)浆体注入多孔模具,通过改性淀粉原位凝固技术制备陶瓷坯体,最后高温烧结去除有机成分,得到β-TCP的多孔陶瓷。探讨分散剂加入量对浆料流变性能的影响,并对多孔支架材料的物相组成和显微结构进行分析。结果表明:采用该方法可以制备具有可控孔隙结构的β-TCP多孔陶瓷,这种多孔陶瓷是一种比较理想的骨组织工程支架材料。 相似文献
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原料粒度对磷酸钙骨水泥性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以等质量的部分结晶磷酸钙(PCCP)和磷酸氢钙(DCPA)的混合物组成的磷酸钙骨水泥(CPC)粉体作为研究对象,采用单因素实验,研究了PCCP和DCPA粒度变化对骨水泥抗压强度、孔隙率、凝结时间、水化产物物相组成和结晶形貌的影响.结果发现:在0.4的液固比下,固定PCCP的粒度,减小DCPA的粒径,骨水泥的抗压强度呈先升高后减小的趋势,存在一最大值为34.6MPa;而PCCP的粒度变化对骨水泥性能的影响较大,随着PCCP粒径的减小,所需调和液的比例增到0.5,抗压强度也存在一最大值为19.7MPa.而孔隙率随这两种原料粒度变化的规律都与强度的变化规律相反,随原料粒径的减小,均存在一最小值.DCPA的粒度变化对骨水泥的凝结时间影响不大;而随PCCP颗粒粒径的减小,骨水泥的凝结时间变短.所生成的水化产物都为弱结晶的羟基磷灰石(HA),但当DCPA颗粒较粗时,固化体中有微量的DCPA残余;而当PCCP颗粒过细时,固化体中有较多的DCPA残余. 相似文献
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利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 ,以抑制杂质缺 相似文献
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净化槽处理民俗餐饮废水的中试研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对净化槽处理民俗餐饮废水进行中试研究,试验结果表明,BOD5、TN、TP的平均去除率分别为93%、88%、90%,出水BOD5、TN、TP的平均质量浓度分别为10.57、4.03、0.32 mg/L,满足北京市水污染排放标准(DB 11/307-2005)一级B标准。通过微生物镜检观察中试装置好氧区填料可以看到密实的菌胶团,并且生物相由早期的草履虫和线虫这类浮游微生物,发展到后期大量的累枝虫和轮虫这类固着型微生物;通过ESEM-EDS分析可以看出,生长在火山岩表面的生物膜具有一定的层次,可清晰地看到生物膜内部用于物质交流的孔洞和通道。 相似文献
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颗粒粒度分布对高固相含量氧化铝浆料流变性能的影响 总被引:5,自引:3,他引:5
制备了低粘度、高固相含量氧化铝悬浮浆料,并将其有效地应用于原位凝固胶态成型工艺中.将中位粒径尺寸分别为0.3μm和2.2 μm的2种氧化铝以不同级配混合后制得的粉体配制浆料.研究了氧化铝粉体颗粒度分布对高固含量氧化铝悬浮浆料流变性的影响.实验结果表明:混合粉体制成的悬浮液表现出不同的流变性.由细颗粒粉体制备的浆料表现出剪切稀化行为,但随着粗颗粒含量的增加,浆料逐渐向剪切厚化转变,依次呈现出Casson型、Bingham型、Herschel-Bulkey型3种不同的流变学特征,并得出了各自相应的流变学模型方程.讨论了流变模型转变的原因及其对胶态成型工艺的影响.粉体经级配后,当中位径d50<1μm时,浆料呈现出触变性,并且触变性随着颗粒度的减小而增大.体积分数(下同)为58%固相含量的级配浆料的粘度较50%固含量的未级配浆料下降了7至10倍,明显改善了浆料的流变性,适合于原位凝固胶态成型工艺. 相似文献
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构筑NiO/Ga2O3 p+-n异质结是克服Ga2O3 p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga2O3 p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、俘获和复合动力学之间的内在关联特性.变温电流-电压特性的量化分析表明,在正偏亚阈值区,陷阱辅助隧穿占据主导地位,符合多数载流子陷阱介导的Shockley-Read-Hall复合模型,其陷阱激活能为0.64 eV,与深能级瞬态谱测试的陷阱能级位置(EC-0.67 eV)非常吻合;当正向偏压大于器件开启电压时,器件输运特性由少数载流子扩散所主导,器件理想因子接近于1.在反向偏置的高场作用下,器件漏电机制则由β-Ga2O3体材料中的陷阱引起的PooleFrenkel (PF)发射所导致. PF发射的势垒高度为0.75 eV,与等温变频深能级瞬态谱测得的陷阱能级位置... 相似文献