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净化槽处理民俗餐饮废水的中试研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对净化槽处理民俗餐饮废水进行中试研究,试验结果表明,BOD5、TN、TP的平均去除率分别为93%、88%、90%,出水BOD5、TN、TP的平均质量浓度分别为10.57、4.03、0.32 mg/L,满足北京市水污染排放标准(DB 11/307-2005)一级B标准。通过微生物镜检观察中试装置好氧区填料可以看到密实的菌胶团,并且生物相由早期的草履虫和线虫这类浮游微生物,发展到后期大量的累枝虫和轮虫这类固着型微生物;通过ESEM-EDS分析可以看出,生长在火山岩表面的生物膜具有一定的层次,可清晰地看到生物膜内部用于物质交流的孔洞和通道。 相似文献
93.
颗粒粒度分布对高固相含量氧化铝浆料流变性能的影响 总被引:5,自引:3,他引:5
制备了低粘度、高固相含量氧化铝悬浮浆料,并将其有效地应用于原位凝固胶态成型工艺中.将中位粒径尺寸分别为0.3μm和2.2 μm的2种氧化铝以不同级配混合后制得的粉体配制浆料.研究了氧化铝粉体颗粒度分布对高固含量氧化铝悬浮浆料流变性的影响.实验结果表明:混合粉体制成的悬浮液表现出不同的流变性.由细颗粒粉体制备的浆料表现出剪切稀化行为,但随着粗颗粒含量的增加,浆料逐渐向剪切厚化转变,依次呈现出Casson型、Bingham型、Herschel-Bulkey型3种不同的流变学特征,并得出了各自相应的流变学模型方程.讨论了流变模型转变的原因及其对胶态成型工艺的影响.粉体经级配后,当中位径d50<1μm时,浆料呈现出触变性,并且触变性随着颗粒度的减小而增大.体积分数(下同)为58%固相含量的级配浆料的粘度较50%固含量的未级配浆料下降了7至10倍,明显改善了浆料的流变性,适合于原位凝固胶态成型工艺. 相似文献
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构筑NiO/Ga2O3 p+-n异质结是克服Ga2O3 p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga2O3 p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、俘获和复合动力学之间的内在关联特性.变温电流-电压特性的量化分析表明,在正偏亚阈值区,陷阱辅助隧穿占据主导地位,符合多数载流子陷阱介导的Shockley-Read-Hall复合模型,其陷阱激活能为0.64 eV,与深能级瞬态谱测试的陷阱能级位置(EC-0.67 eV)非常吻合;当正向偏压大于器件开启电压时,器件输运特性由少数载流子扩散所主导,器件理想因子接近于1.在反向偏置的高场作用下,器件漏电机制则由β-Ga2O3体材料中的陷阱引起的PooleFrenkel (PF)发射所导致. PF发射的势垒高度为0.75 eV,与等温变频深能级瞬态谱测得的陷阱能级位置... 相似文献
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陶瓷凝胶注模成型工艺是一种新颖的成型工艺,它将高分子化学单体聚合的思路引入到陶瓷的成型工艺中。通过加入分散剂制备了流动性较好的Al2O3浆料,用改性淀粉原位凝胶注模成型技术制备了具有较高强度和均匀性良好的氧化铝陶瓷坯体。研究了不同分散剂在制备低粘度高固相体积分数Al2O3浓悬浮体中的分散作用,并重点考察了添加不同分散剂的Al2O3浆料的粘度随pH值变化的趋势,对比了不同分散剂对Al2O3浆料的分散效果。 相似文献
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98.
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga2O3,亚稳相Ga2O3表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga2O3单晶薄膜是实现亚稳相Ga2O3基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga2O3的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga2O3异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga2O3材料和器件的发展趋势进行了展望。 相似文献
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本文研究了GPSZrO2-Si3N4复合材料的烧结性能、相组成、显微结构和力学性能。ZrO2-Si3N4复合材料在1770~1800℃,氮气压力分别为1MPa,2MPa,3MPa下烧成,获得相对密度>95%烧结体。实验结果表明:少量的工业ZrO2对氮化硅有助烧作用,增大氮气压力有利于改善氮化硅陶瓷材料的烧结性能和力学性能;ZrO2可提高氮化硅基体的断裂韧性,在3MPa下烧成条件下,添加15%ZrO2的Si3N4复合材料断裂韧性可达8.08MPa.m1/2,与基体相比提高21.5%,第二相粒子增韧和微裂纹增韧为主要增韧机理。 相似文献
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