滚子圆环接触式光弹流试验装置的设计及初步实验研究

为了真实地模拟圆柱滚子轴承高速运转时滚子接触副间的油膜分布,基于光干涉原理构建滚子-圆环接触式光弹流试验机,该试验机克服了常规的球-盘试验机高速运转时,润滑油由于离心力的作用向外迁移的缺陷。利用新开发的光弹流试验机进行初步的试验研究,实验结果表明:该试验装置重载工况下工作平稳,图像清晰,对于未修形的滚子可以明显地观测到滚子端部的"边缘效应",能够为润滑条件下滚子接触副的轮廓优化设计提供可靠的试验数据。     

苯酚和环己烯烷基化合成环己基苯醚

在离子交换树脂催化作用下,苯酚和环己烯通过烷基化反应生成环己基苯醚。通过工艺优化确定反应条件为烷基化温度为60~75℃、苯酚和环己烯的物质的量比为1∶1、催化剂用量为苯酚的质量分数20%、反应时间为4.5~7h,在此工艺条件下苯酚的转化率可达70.5%、并以41.8%的收率得到目标产物环己基苯醚。同时,在优化条件下对该反应体系放大10倍进行放大反应,结果显示环己基苯醚的收率能够达到40.7%,与放大前的数据相比仅有2.6%的降低幅度,表明该反应具有工业应用前景。该方法反应条件简单温和,反应过程无腐蚀和污染,并且经实验验证该催化剂具有一定的循环使用性能。     

雪崩模式下的体结构GaAs光导开关

利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2 mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验,当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后,开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时,在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压,实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试,其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,开关获得了最小抖动约700 ps。     

FCVD-SPS法制备高硅钢软磁复合铁芯及电磁性能研究

采用流化气相原位沉积结合放电等离子烧结工艺成功制备了高硅钢软磁复合铁芯Fe-6.5% Si/SiO₂（质量分数）,并系统研究了复合铁芯微观结构与电磁性能的关系。结果表明,高硅钢软磁复合铁芯中的Fe-6.5% Si颗粒被SiO₂绝缘层均匀并且致密的包围,Fe-6.5% Si/SiO₂复合铁芯表现出高磁感、高电阻率、良好的频率稳定性、低矫顽力、以及低铁损等优异的电磁特性,饱和磁感应强度为175 emu·g-1,矫顽力为15 Oe,相对磁导率为350（80 kHz）,电阻率为8.6×10-5?·m,0.2 T、5 kHz外场下铁损仅为11.8 W·kg-1。     

木工机床标准中的平面度检测评价问题分析

木工机床中的绝大多数,如圆锯、台式带锯、平刨、压刨、铣床、钻床都是以工作台面作为加工基准。所以,国内外这类木工机床标准中,均有关于工作台平面度的要求。又由于这些机床的台面尺寸不大,故一般不用准直仪、水平仪等角值化线值的间接测量法;而采用平尺、量块、塞尺等简易量具进行直接测量。在各国的木工机床相关标准中,对于平     

存款单作为电费质押担保的可行性及其实践

银行存款单质押作为保证债权实现的一种预防性措施,有着一般担保形式无法比拟的优越性,是一种手续简便、安全性高、变现成本小的物的担保。通过银行存款单质押对电费进行担保,能够有效降低供电企业电费回收的风险。将此种担保推而广之,更有助于解决电费回收难的困境,对促进市场交易有着积极的意义。     

NiO纳米晶的制备及电化学性能研究

采用溶胶-凝胶工艺并结合热处理方法制备NiO粉体,考察热处理温度对粉体组成、结构和形貌的影响,并初步研究了其电化学性能.结果表明:以醋酸镍为镍源,柠檬酸为络合剂,乙醇为溶剂,合成了均匀稳定的溶胶和凝胶,干凝胶前驱体在烧结过程中于400℃左右分解基本完全并逐渐有纳米晶NiO出现;随烧结温度的升高,NiO晶粒大小逐渐增加,晶形更加完整;在600℃×2h烧结获得的粉体晶粒尺寸分布均匀,晶形较好且无明显团聚,表现出了较好的充放电性能.     

HR-I电子提花机控制器的设计

针对如何快速地改变花形,废除纹板,减少资金和材料浪费等问题,在研究和分析国内外电子提花技术的基础上,提出一种低成本的电子提花控制技术方案,以代替机械提花机。以单片机ATmega128为核心,利用CAN总线传输提花数据,实现数据远距离的传输,利用ATmega16接收CAN总线上的数据,在中断信号作用下通过同步串行口把数据分发到各个组件上,信号经过功率放大,驱动电磁阀,用提针控制经纱沉浮。该系统经现场测试,可实现无差错数据传输,可靠性好,抗干扰性强,能方便地改变花形,满足织造要求,从而提高生产效率。     

半导体激光二极管触发GaAs光导开关

半导体激光二极管触发下砷化镓（GaAs）光导开关工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的GaAs 光导开关以提高开关场强.设计的开关芯片厚度为2 mm,电极间隙为3 mm,利用半导体激光二极管对开关进行触发实验.当开关充电电压超过8 kV 后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始雪崩工作模式.随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加,但开关输出波形没有改变.对开关抖动进行测试,其测试结果显示开关偏压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,当开关偏压升至15 kV 时,开关获得最小抖动约500 ps.