SPPESK/SPEEK共混质子交换膜的制备与性能

以耐溶胀性能较好的磺化聚芳醚砜酮(SPPESK)和吸水性较强的磺化聚醚醚酮(SPEEK)为原料,制备了SPPESK/SPEEK共混质子交换膜。考察了共混膜的水吸收率,水溶胀度,甲醇水溶胀度,甲醇渗透率及质子传导率和力学性能。80℃时,共混膜具有适当的水吸收(101%)和溶胀度(34%),较低的甲醇水溶胀度(20%),较高的质子传导率(0.212 S/cm),与SPPESK膜相比,质子传导率提高了18%。SPEEK的加入改善了共混膜的柔韧性,断裂拉伸应变从16.48%提高到30.43%。     

化学交联法在质子交换膜制备中的应用

化学交联是提高质子交换膜性能的一种有效方法。交联质子交换膜具有较低的水溶胀性、甲醇渗透性,以及较高的热、力学稳定性。使用化学交联法制备质子交换膜时,通常采用交联聚合物磺化法、磺化聚合物交联法和共混聚合物交联法等三种方法。采用不同方法交联时,交联活性点的选取各不相同,制备的交联质子交换膜性能也有差异。深入研究交联程度、离子交换容量、交联剂种类等不同制备条件对交联膜的微观结构及性能的影响,才能使交联质子交换膜的综合性能得到优化。     

双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm（紫光）、470 nm（蓝光）的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理：470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷（O3≡Si-Si≡O3）,是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.     

SGO/SPEEK同轴电纺纤维质子交换膜的制备

以磺化聚醚醚酮(SPEEK)和磺化氧化石墨烯(SGO)为基材,提出同轴静电纺丝法制备SGO/SPEEK核壳纤维,再经堵孔进一步制备了同轴纺膜.聚合物纤维化和SGO无机掺杂有效地提高了膜的耐溶胀性.同轴纺丝进一步将SGO限域在SPEEK纤维内核中,提高了有机-无机相容性.另外,SGO/SPEEK同轴纤维中形成的长程连通质子传导通道,也可提高膜的质子传导能力.研究结果表明,在80℃时,同轴纺膜的溶胀度仅为共混浇铸膜的23%,说明纳米纤维核壳结构可以有效地抑制膜溶胀;同轴纺膜的质子传导率可达166 mS/cm,拉伸强度达62.7 MPa,单电池开路电压达到1.004 V,均优于单轴纺膜和共混浇铸膜.     

解决Windows 98中的硬件冲突

在Windows 98下添加新硬件可能会出现的意外，制造商声称与Windows 98兼容，硬件可能无法工作，还可能使系统崩溃，造成故障的原因是新硬件引起了冲突，新硬件可能会试着使用其他设备正在使用的系统资源，夺不到资源，新硬件就无法工作，夺得资源，原来使用该资源的硬件就无法工作有时候两个设备要同时使用某个资源，这就会导致系统或应用程序出现故障。     

微型硬质合金钻头上金刚石涂层研究

WC-Co硬质合金钻头经过短时间酸腐蚀和微波等离子体硼氮化处理后,利用热丝CVD方法生长金刚石薄膜,并在电路板和玻璃板上进行了附着力测试.研究表明:钻头垂直于热丝放置,钻头端部为最高硬度的(111)面,有利于改善钻头切削加工性能;短时间酸腐蚀只去掉了钻头表面的钴,不降低表面硬度.同时酸腐蚀手段提高了表面粗糙度,避免了在随后的硼氮化处理时在WC表层形成低附着力的硼化物层,提高了金刚石薄膜附着力.在电路板及玻璃板上钻孔的测试结果表明,金刚石薄膜涂层钻头具有更高的寿命.     

SiOx薄膜的制备及发光特性研究

本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜，XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内；在波长为240nm紫外光的激发下，室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm，410nm，560nm，630nm四个相互分离的峰，其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷（≡Si—O—O—Si≡）、双配位硅悬挂键（O-Si-O）、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。     

ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索

对掺杂过渡金属（TM）制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研，在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型：直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献，发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要，低生长温度、高氧偏压和较少的TM离子掺杂浓度能促使TM掺杂物的均一分布，并能削弱反铁磁性（AFM）交换进而增进铁磁性（FM）交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的，载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。     

过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。     

服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新运用研究

本文主要以服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新运用研究为重点进行阐述,首先分析服装设计领域中蜡染技术应用与服装设计领域中扎染手工印染技术应用,其次从蜡染、扎染与服装设计领域的创新结合几个方面,深入说明并探讨服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新要点,进而明确蜡染及扎染手工印染技术的创新方向,带动服装设计领域更为广泛的发展,旨意在为相关研究提供参考资料。