41／2位A／D转换器IC7129与PC串口的连接

文章介绍了单片41/2位A/D转换器ICL7129与PC串口的连接，并使用“窃电”实现ICL7129“无源”工作，使ICL7129优异的性能在计算机自动测控中得以发挥。     

TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。     

高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和7射线探测用半导体材料之一.介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及T1Br单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向.     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了表征．实验发现：在低压ＺｎＯ压敏陶瓷中存在两种非理想的Ｄｅｂｙｅ弛豫现象,对于每一种弛豫,其复电容曲线存在压低现象,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小．在低压ＺｎＯ压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱,它们分别位于导带底０．２０９和０．３４２ｅＶ处,其中０．２０９ｅＶ处的陷阱能级对应于本征施主Ｚｎ×ｉ的二次电离,而０．３４２ｅＶ处的陷阱能级对应于氧空位ＶＯ的一次电离．     

PTCR生产过程烧结方式的研究

以程控交换机过流保护用高性能PTCR陶瓷元件为研究对象,得到了应用箱式炉提高PTCR元件产品产量和合格率的烧结方式,通过改变坯片在烧结炉中的位置和摆片方式,得到一种有效的烧结模式,以保证PTCR材料的性能参数,提高产量和合格率。     

化学镀铜液中铜离子型体分布和络合剂的作用

用热力学平衡方法研究了ＢａＴｉＯ３系陶瓷作了ＰＴＣＲ化学沉积金属电极时在酒石酸盐－铜郭子和乙二胺四乙酸钠盐－铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布状况。结果表明,酒石酸盐和乙二胺四乙酸钠盐络合剂会使化学镀铜速度明显下降,其可能的原因是空间的位阻。研究表明,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作十分重要。     

PTCR耐电压耐电流自动测试系统

针对PTCR生产中耐电压耐电流测试的需要,研制了计算机控制的PTCR耐电压耐电流自动测试系统。采用PC机、单片机、智能化仪表,实现了PTCR耐电压电流性能的在线测试及工艺参数、工艺设备的在线控制,为PTCR生产中耐电压耐电流测试工艺提供了一种有效的自动化手段。     

直流磁控溅射BaTiO3系PTCR元件电极及其性能对比的研究

目前在钛酸钡系PTC热敏电阻器的生产过程中,广泛采用烧渗铝、化学镀镍等电极制备方法,但所制备的电极湿热老化及附着力不尽人意.本文采用直流磁控溅射法制备了的PTCR元件的底电极,实现了镍与PTCR瓷片间的欧姆接触,并发现利用溅射法工艺制备了Ni电极的元件电极附着力(垂直拉力＞3kg,剪切拉力＞0.5kg)及耐湿热老化性能均得到提高,而且溅射工艺的高成本也得到控制,在生产上实现了批量应用(日产量可达3万片).     

铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

研究了添加0.25CuO-0.75MoO3(摩尔比,简记为CM)对ZnO-TiO2(简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响.CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得,烧结温度限定在900～1050℃范围内.样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量.EDS及XRD分析显示,Cu2+和Mo6+均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格,并导致ZnTiO3分解温度的降低,同时,也降低了在Zn2TiO4和金红石之间形成固溶体(Zn2Ti3O8)的起始温度.实验结果表明,CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结.添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%,其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz,介电常数εr=28.6,谐振频率温度系数τf=+17.8×10-6/℃.