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TlBr粉末的水热重结晶提纯和TlBr晶体生长(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
采用水热重结晶法提纯TlBr,用等离子耦合质谱仪检测痕量杂质。结果表明:水热重结晶法是一种有效的TlBr提纯方法,经一次水热重结晶提纯后,杂质Ca,Fe,Mg,K,Zn,Cu,Na和Si的总浓度从139.6×10–6(质量分数,下同)下降为9.3×10–6;随着溶液冷却速率的下降,杂质含量下降幅度明显增大。对比真空蒸馏提纯法,水热重结晶法具有更高的提纯效率。以水热重结晶制备的TlBr粉为原料,采用垂直Bridgman法生长了尺寸为φ8mm×55mm的TlBr晶体。TlBr晶体的禁带能为(2.83±0.005)eV,电阻率为2.26×1011(Ω·cm)。 相似文献
43.
PZT-PZN-NaNbO3压电陶瓷的结构和性能 总被引:3,自引:0,他引:3
对(1-x)Pb0.95Sr0.05[(Zr0.54Ti0.46)0.9(Zn1/3 Nb2/3)0.10]O3+xNaNbO3(简称PZT-PZN-XaXbO3)压电陶瓷的结构和性能进行了研究。结果表明,随着NaNbO3掺入量的强加,d33,Kp和介电常数εr同步增加,当添加2.5mol%NbNaO3时,材料的晶体结构由三方相向四方相转变,在准同型相界处,d33和Kp以及介电常数εr达到最大值,继续增加NaNbCO3掺入量,d33,Kp和介电常数εr开始下降;NaNbO3还可以促进陶瓷烧结,降低烧结温度;通过NaNbO3掺杂改性,得到了d33=510PC/N,Kp=0、62,εr=2600,tanδ=0.024的压电陶瓷。 相似文献
44.
报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊(TlBr)单晶性能的影响。先以硝酸铊(TlNO3)和氢溴酸(HBr)为原料,采用化学共沉淀法合成了TlBr多晶粉体,然后采用真空蒸馏法(VD)在不同的温度(520~640℃)下对TlBr多晶粉体进行提纯,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响。接着选用纯度较高的TlBr多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径为8 mm的TlBr单晶。ICP-MS测试结果表明,真空蒸馏提纯后,TlBr多晶粉体杂质含量均减小一个数量级;单晶的X射线衍射(XRD)测试表明,生长出的TlBr单晶其主要生长方向为[110];晶体的电阻率提高1个数量级以上,达到109W.cm,光学特性也明显改善,适合于探测器的制备。 相似文献
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CeO2添加对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微观结构及微波性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CeO2添加量对(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3微观结构及介电性能的影响.研究表明当Ce4+含量≤2.2%(摩尔分数,下同)时,样品为单一钙钛矿相,并且Ce4+进入A位造成样品晶胞的收缩,而Ce4+进入B位造成样品晶胞的膨胀.当Ce4+含量>2.2%时,样品中会出现未知相.样品介电常数随Ce4+含量的增加先增大,后减小,介电常数的增大是由于晶胞体积的收缩以及相对密度的增大;减小则是由于Ce4+的半径(0.087 nm)大于(Fe3++Nb5+)的平均半径(0.064 nm)以及体系中未知相的出现.此外,由于Ce4+的取代造成氧空位消除、相对密度增大以及晶粒尺寸增大,从而当Ce4+的含量超过一定值时,样品的品质因数得到提高.样品谐振频率温度系数随Ce4+取代量的增加先迅速下降,然后又逐步增加.这是由于Ce4+的取代使得B位键价增加,谐振频率温度系数τf下降;但当样品中出现未知相时,τf又增加.当Ce4+的含量为2.2%时,τf达到最小值3.5×10-6/℃,且此时样品介电常数εr及品质因数谐振频率的积Qf值分别为93.7,6 770 GHz.研究了CeO2添加(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3样品中晶体结构与介电性能之间的关系. 相似文献
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差热分析仪计算机控温系统研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用PC机进行控制、分析和处理的差热分析仪对反应炉温度的控制采用了直接数字控制方式(DDC),通过前端的采样电路,将炉体、反应物及标准试样的温度信号送入PC机内进行分析和处理,计算出反应物与标准试样的温度差值并给图,同时根据炉2体温度和预先设定条件,利用位置式PID算法计算出控制量,输出到激励电路,进而控制反应炉温度按一定规律变化。 相似文献
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