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51.
PZT-PZN-NaNbO3压电陶瓷的结构和性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
对(1-x)Pb0.95Sr0.05[(Zr0.54Ti0.46)0.9(Zn1/3 Nb2/3)0.10]O3+xNaNbO3(简称PZT-PZN-XaXbO3)压电陶瓷的结构和性能进行了研究。结果表明,随着NaNbO3掺入量的强加,d33,Kp和介电常数εr同步增加,当添加2.5mol%NbNaO3时,材料的晶体结构由三方相向四方相转变,在准同型相界处,d33和Kp以及介电常数εr达到最大值,继续增加NaNbCO3掺入量,d33,Kp和介电常数εr开始下降;NaNbO3还可以促进陶瓷烧结,降低烧结温度;通过NaNbO3掺杂改性,得到了d33=510PC/N,Kp=0、62,εr=2600,tanδ=0.024的压电陶瓷。  相似文献   
52.
研究了B位Zr4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xZr3x]O3-δ(O.02≤x≤0.1.CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0.02≤x≤10mol%时,体系为单一钙钛矿相.随Zr4+含量的增加,品质因素下降,谐振频率温度系数由-16.3ppm/℃增加到-7.5ppm/℃,而品质因素下降.分析了谐振频率温度系数(τf)随容忍因子(t)的变化关系.当Zr4+含量为5mol%时,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppms/℃.  相似文献   
53.
采用TG—DTA、SEM、EDAX、XRD等测试手段研究了BaO—CeO2-TiO2微波介质陶瓷的烧结特性及物相组成.BaO—CeO2-TiO2的预烧温度和烧结温度分别为900-1100℃和1250-1300℃.结果表明:Bae-3XCes+2XTi18O54(x=0.8)在1300℃下烧结后形成了由A、B两相共存的体系,其中A、B两相的元素摩尔比分别为Ce:O=1.0:1.3,Ba:Ti:Ce:O=1.00:6.70:0.35:9.46.此时体系的介电常数为28.72,品质因数为最高值4862.13GHz.  相似文献   
54.
讨论了微波介质陶瓷中介电性的影响因素.其中本征因素是微波介质陶瓷的完美晶体中能获得的微波介电特性,其损耗是最低的,可由微波电场与晶体振动的非简谐性相互作用计算得出;非本征因素则包括有序-无序度、杂质、晶格缺陷、微结构及晶粒大小等诸多因素.研究了目前微波介质陶瓷的国内外现状,对其今后发展趋势做了讨论.  相似文献   
55.
通过对LaCrO3和NiMn2O4及其复合材料的大量的稳定性试验考察,发现复合材料的稳定性显著优于单相材料.本文应用缺陷化学理论对单相材料老化过程中阻值变化的原因进行了分析,分析表明:老化过程中由于瓷体表面及气孔内吸附的氧逐渐扩散到体内,使氧空位浓度减小,从而使p型半导瓷LaCrO3阻值缓慢减小,而使n型半导瓷NiMn2O4的阻值缓慢增大,解释了复合材料优异的耐高温特性是由于复合材料的补偿效应.  相似文献   
56.
差热分析仪计算机控温系统研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用PC机进行控制、分析和处理的差热分析仪对反应炉温度的控制采用了直接数字控制方式(DDC),通过前端的采样电路,将炉体、反应物及标准试样的温度信号送入PC机内进行分析和处理,计算出反应物与标准试样的温度差值并给图,同时根据炉2体温度和预先设定条件,利用位置式PID算法计算出控制量,输出到激励电路,进而控制反应炉温度按一定规律变化。  相似文献   
57.
用激光拉曼光谱仪探讨了成分、分相制度对NBS玻璃分相的影响,并对浸析后玻璃内部基团的变化进行了研究.结果表明:成分不同,玻璃内部占主要优势的基团不同,从而导致了分相倾向的不同.分相温度与玻璃成分有较大的联系.浸析后玻璃中的[BO4]和[BO3]均被溶出.  相似文献   
58.
本文介绍了汽车检浏用一一一氧敏材料发现的掺入可提高材料的 稳定性及电导激活能, 扩宽材料检测的氧压范围等且当。时, 材 料具有最好的氧敏特性米用高温多次预烧的工艺可获得晶粒尺寸均匀、气孔率适当的 瓷休  相似文献   
59.
PTCR耐电流冲击自动测试仪   总被引:1,自引:0,他引:1  
为满足PTCR生产中耐电流冲击特性测试的要求,研制了多工位PTCR耐电流冲击特性测试。采用计数器、通/断定时器及以TPIC6B595集成芯片为核心的通断时序控制接口电路,实现各个工位的先通先断,从而保证各个工位通断时间满足测试要求,保证了PTCR耐电流冲击性能的准确、高效测试;各通道具有独立的自动过电流保护电路,既保护了测试夹具,又使仪器本身的可靠性大大提高。  相似文献   
60.
Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。  相似文献   
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