低压氧化锌压敏陶瓷的显微结构及其电学性能的研究

研究了一价碱金属离子掺杂对低压ＺｎＯ压敏陶瓷电学性能的影响规律,探讨了烧结温度、降温速度对其显微结构和电性能的影响,分析了添加剂驰骋合成对ＺｎＯ压敏陶瓷场强的影响规律。实验发现：一价碱金属离子掺杂能有效地抑制漏流,增加非线性,但同时使压敏场强增加：提高烧结温度能有铲地降低压敏场强,但过高的烧结温度将使漏流增加,非线性系数下降。通常,烧结温度以不超过１２５０℃为宜;添加剂预合成能降低ＺｎＯ压敏陶瓷的     

Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明,对于Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷,其晶粒生长的动力学指数n等于4,激活能Q等于(400±26)kJ/mol.Al2O3掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2O3尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3+和O2-通过ZnAl2O4尖晶石的扩散.     

复合电子陶瓷材料的耐高温特性分析

通过对LaCrO₃和NiMn₂O₄及其复合材料的大量的稳定性试验考察,发现复合材料的稳定性显著优于单相材料．本文应用缺陷化学理论对单相材料老化过程中阻值变化的原因进行了分析,分析表明：老化过程中由于瓷体表面及气孔内吸附的氧逐渐扩散到体内,使氧空位浓度减小,从而使p型半导瓷LaCrO₃阻值缓慢减小,而使n型半导瓷NiMn₂O₄的阻值缓慢增大,解释了复合材料优异的耐高温特性是由于复合材料的补偿效应．     

晶粒生长的控制及对铅钙铁铌陶瓷体系微波介质性能影响的研究

研究了晶粒生长的固有机制,并针对铅钙铁铌陶瓷体系的掺杂改性设计一组实验,实验结果表明工艺因素特别是烧结温度及保温时间对晶粒形貌有显著影响,随烧结温度及保温时间的增加晶粒尺寸不断增加,但超过一定值后,不断减小的气孔率又会增加。本文提出一种晶粒生长模型,将烧结分成烧结前期、烧结中后期以及临界点后烧结期3个阶段,并证明每种材料由于组成不同和基本晶粒的不同会有最佳的烧结临界点,把握该临界点是控制材料性能的关键。     

工艺因素对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷微波介电性能的影响

研究了制备工艺对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3-δ(CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.研究表明,煅烧温度对晶粒形貌有明显影响,随煅烧温度的增加,气孔率减小,但超过900℃后又增加.当煅烧温度为900℃,在115℃、4h烧结,陶瓷微波介电性能最佳:εγ=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppm/℃.     

复合氧化物电子功能陶瓷的现状与展望

本文阐述了复会氧化物电子功能陶瓷的概念、分类、设计原则、复会机理以及典型应用，并对复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向作一简单的介绍。复合氧化物电子功能陶瓷主要分为固溶型、机械混合型、晶界偏析型、包覆型、两相反应型等。其复合机制主要有加和性、乘积性、多色渗滤等，未来复合氧化物电子功能陶瓷的发展方向主要有：１．纳米级复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；２．多功能复合氧化物电子功能陶瓷材料的设计与制造；３．无污染、可再生的复合氧化物电子功能陶瓷材料的开发与研究。     

工艺条件对PTC热敏电阻器性能影响的研究

PTC热敏电阻元件的干压成型是生产工序中的关键工艺，不同的加工方式、成型压力和保压时间对生坏成型及PTC元件物理特征、PTC效应、电子性能等均有影响，考虑烧结，必须对工艺条件和粉体性能足够重视。     

Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xZr3x]O3-δ陶瓷微波介电特性

研究了B位Zr4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xZr3x]O3-δ(O.02≤x≤0.1.CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0.02≤x≤10mol%时,体系为单一钙钛矿相.随Zr4+含量的增加,品质因素下降,谐振频率温度系数由-16.3ppm/℃增加到-7.5ppm/℃,而品质因素下降.分析了谐振频率温度系数(τf)随容忍因子(t)的变化关系.当Zr4+含量为5mol%时,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppms/℃.     

ZnO-B2O3-Na2O玻璃对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷微波介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3-Na2O(ZBN)玻璃对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响.研究表明ZBN的掺入能有效降低对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷体系的烧结温度150～230 ℃,谐振频率温度系数随ZBN掺入量增加及烧结温度的提高,由负值向正值方向增大.在990 ℃,掺入3%(质量分数,下同)的ZBN,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.5,Qf=12530 GHz,τf =-7.6 ppm/℃.     

多层片式PTCR瓷片烧成工艺及电性能关系的研究

为研制一种独石结构的片式热敏PTC电阻器，采用轧膜成型工艺制备生坯薄片并在成瓷后叠层。为满足叠层所需的平整度与电性能参数，分别从烧成温度、升温速率、保温时间与降温速率等烧成工艺参数加以控制并给出了相应的讨论。确定了多层片式PTCR的最佳烧成工艺曲线并制备具有PTC效应的3层并联结构的热敏电阻器。