从砷化镓废渣中制备砷酸钠和金属镓的实验研究

通过碱性氧化浸出、冷却结晶、旋流电积等工艺从砷化镓废渣中制备砷酸钠和金属镓,浸出阶段考察了NaOH质量浓度、液固比、浸出时间、浸出温度及H_2O_2加入量等5个因素对砷和镓的浸出率的影响。结果表明:NaOH质量浓度100 g/L、液固比5∶1、浸出时间2 h、浸出温度70℃、H_2O_2和As的摩尔比为1. 2时,镓的浸出率能达到99%以上,砷的浸出率能达到96%以上,浸出液经蒸发浓缩、冷却结晶后可以制得纯度为63. 6%的砷酸钠晶体,重结晶后砷酸钠纯度可达到96. 7%。结晶母液经旋流电积后制得纯度为99. 946%的金属镓。     

废电脑及配件回收中的废水治理

现行的火法或湿法工艺处置废电脑及其配件,存在着许多环保问题.相对于其他工业废弃物而言,人们对废电脑、电子器件以及这些废旧电子产品回收利用后产生的各种液体、气体和固体废弃物对环境的危害的认识和重视不足.     

贵金属纳米材料的产业化发展

随着国家对黄金和白银专控政策的放开和纳米技术与传统的贵金属深加工的结合,贵金属纳米材料作为一类在工业生产中起着重要作用的新材料,具有良好的发展前景。本文作者介绍了贵金属纳米非负载型粉体、负载型粉体、贵金属新型原于簇、贵金属膜材料的制备方法。 对非负载型贵金属纳米粉体的制备方法有:化学还原法、光化学合成法、电化学沉积法和热物理法。负载型贵金属纳米粉体制备方法有:浸渍法、离子交换法、吸附法、醇盐法和蒸发法。贵金属纳米复合材料的制备方法有:贵金属纳米单元与高分子直接共混法、高分子体中原位生成贵金属纳米粒子法、单体分子原位聚合生成高分子方法及贵金属纳米粒子和高分子同时生成法等。 贵金属纳米粉体和膜材料作为一类新型材料,其应用范围正在不断扩大,除获得工业应用(为电子工业方面的电子浆料、化学工业方面的催化剂、轻工方面的油漆、涂料等)最多的贵金属纳米材料外,还在生物和医学等许多方面有着广泛应用。由于应用领域的扩大,也给贵金属深加工提出了新课题。利用新的技术手段改造传统的产业,为此文中还提出了贵金属纳米材料产业化过程中要注意的几个问题,对它的发展前景进行综合评述。     

鼓氧氰化法生产高纯度氰化亚金钾的研究

以还原金粉为原料，采用鼓氧氰化法合成了氰化亚金钾。保持金粉过量投料，控制氰化亚金钾溶液的浓缩水量是得到高纯度和高收率产品的关键。此方法具有产品纯度高、生产操作简单、生产成本低和环保要求代等优点，适合中小企业生产。     

废电脑及配件回收中的废水治理

溶剂萃取法是分离和净化物质常用的方法。由于分离过程中液-液处于接触状态，可实现连续操作，分离效果和效率较高。使用这种方法时，萃取剂的选择性是首先必须考虑的因素。废水中重金属一般以阳离子或阴离子形式存在，如果在酸性条件下与萃取剂发生配位反应，则重金属离子将从水相（W)被萃取     

炼锡废渣中锡的湿法富集工艺研究

以电弧炉炼锡产生的废渣为原料,盐酸为浸出剂,在温度40℃、液固比25∶1(mL/g)、搅拌速度250r/min的条件下进行锡的富集。废渣中的锡含量由1.82%富集到13.61%,富集后的废渣再经酸浸、锌置换处理后,最终获得纯度98%的金属锡,锡回收率达99.5%,硅组分和钙组分的脱除率分别达到83.42%和94.21%,可以作为副产物出售,实现二次资源化。     

不同有机官能团对室温下纳米银形貌控制合成的影响

选择10种含有不同官能团的有机物为表面修饰剂,如聚乙烯吡咯烷酮、吐温-80、十二烷基硫酸钠、聚丙烯酸钠、聚乙二醇、山梨醇、十二烷基磺酸钠、聚乙烯醇、十二烷基苯磺酸钠和十六烷基三甲基溴化铵等,在室温下进行了平均粒径在2～131nm范围内纳米银颗粒的控制合成研究.有机修饰剂中含有的不同官能团对制得的纳米银形貌的影响主要取决于有机修饰剂的官能团特性和还原剂的还原能力.在不同还原条件下,含多醚键的聚乙二醇、吐温-80皆易于合成出平均粒径为几纳米、粒径分布窄、分散性好的纳米银.在弱还原剂条件下,十六烷基三甲基溴化铵诱导生成了三角形片状纳米银,但是在强还原剂存在条件下生成了粒状纳米银.粒径大于10m的纳米银晶体的生长是通过小颗粒的聚集与熔合而成,而不是经过小颗粒的溶解-沉积过程形成.     

SDS／Vc／H2O微乳液中纳米金的合成

在SDS／Vc／H2O微乳液中用0．001mol·L^-1HAuCl4溶液代替组分水，以Vc作还原剂制备纳米金。紫外一可见光谱和扫描电镜实验结果表明，所制备的金纳米粒子的粒径在5-20nm之间；在固定SDS／Vc的质量比为50／50条件下，粒子的粒径随微乳液中HAuCl4（aq）含量的增加而增加。初步探讨了在SDS／Vc／H2O微乳液中合成纳米金的机制。     

准晶态晶体学

准晶态是近年来新发现的固体的一种新的存在形态。本文对准晶态晶体学作一综合报道。     

Eu3+掺杂Sr2CeO4荧光体的制备、发光性能及能量传递

采用柠檬酸-凝胶法成功地制备了Eu3+掺杂的Sr2CeO4荧光体.用X射线粉末衍射、拉曼光谱、紫外可见吸收光谱和荧光光谱等分析手段研究了荧光体的结构、光致发光性能及能量传递.结果表明,Sr2CeO4∶ Eu荧光体的激发光谱由两部分组成一个宽的激发带和属于Eu3+的f - f跃迁的锐线谱(峰位是395nm、466nm、532nm),它的发射光谱中除了出现常见的发射峰如585nm(5D0→7F1) 、616nm(5D0→7F2)、655nm(5D0→7F3)和704nm(5D0→7F4)外,还包含有来自较高能级激发态5D1的跃迁的发射,即509nm(5D1→7F0)、534nm(5D1→7F1)、554nm(5D1→7F2).这些发射峰在其它基质材料中难以观察到.发射主峰位于616nm附近,没有出现5D0→7F0的跃迁发射,这表明Eu3+在Sr2CeO4基质中处于无反演中心或偏离反演中心的格位上.Sr2CeO4∶Eu荧光体中存在着从基质Sr2CeO4到Eu3+的能量传递.