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自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 总被引:2,自引:1,他引:2
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B. 相似文献
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83.
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 总被引:1,自引:1,他引:1
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。 相似文献
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介绍一个基于C/S结构的应用程序,使其能在局域网中实现服务器对网络中计算机内部网络化行为的管理与审计。 相似文献
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86.
为了更好地进行版权保护,设计了一种基于图像置乱技术的数字图像水印算法。将经过Arnold变换的水印信号嵌入在宿主图像的LSB位平面上,提高了LSB算法的鲁棒性,保留了盲提取特点。算法通过水印信号扩展使其与宿主图像相匹配,保证了水印嵌入位置的安全性。仿真实验比较了有无Arnold变换的水印算法,结果表明使用Arnold置乱的水印算法抗噪声、剪切能力较好,说明在数字图像水印中应用图像置乱技术可以有效提高数字图像水印的性能。 相似文献
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中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置是一台用于材料、光谱、生物、医学等领域前沿研究的多功能用户装置,在实验室现有的太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)基础上,拟新增两套2×9-cell超导加速单元和两台波荡器,将电子能量提升至最大50 MeV,输出频率覆盖范围拓展至0.1~125 THz,最大宏脉冲功率大于100 W。同时,采用跑道型束线设计,拟建设一台小型能量回收型直线加速器实验研究平台。本文主要介绍了中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置的总体设计、工作模式以及用户实验站布局。 相似文献
90.
现有基于稀疏性的图像修复算法采用固定大小的待填充块和邻域一致性约束,且在全局搜索待填充块的最优匹配块,既降低了待修复区域的结构连贯性和纹理清晰性,又增加了算法的时间复杂度.针对上述问题,根据破损区域特性和块结构稀疏度间的关系,提出基于块结构稀疏度的自适应图像修复算法.根据最大优先权值点的块结构稀疏度值,设定不同参数以自适应选取待填充块大小、邻域一致性约束权重系数和局部搜索区域大小,并通过仿真实验分析讨论了各参数选取.实验结果表明本文算法较文献算法在峰值信噪比上提高0.3dB ~ 1.2dB,并且提高算法速度3~7倍. 相似文献