PDSOI nMOSFETs关态击穿特性

分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1.0×1013增加到1.3×1013cm-2,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11.9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.     

一种改进的支持向量机模式分类方法

支持向量机(Support Vector Machine,SVM)是在统计学习理论基础上发展起来的一种新的机器学习方法,已成为目前研究的热点,并在模式识别领域有了广泛的应用.首先分析了支持向量机原理,随后引入一种改进的径向基核函数,在此基础上,提出了一种改进核函数的SVM模式分类方法.与基于IRIS数据,进行了计算机仿真实验,与基干模糊k-近邻的模式分类仿真结果比较,结果表明改进的SVM方法分类性能比模糊k-近邻算法(Fuzzy k-Nearest Neighbor,FKNN)的分类性能更好,运算时间更短,更易于实时实现.     

部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.     

自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 Ⅱ.集成光学调制器

本文利用集成光学和光纤技术制作了集成光学调制器,驱动调制器的电压仅为４伏,配之以高稳定的、ＬＤ泵浦的单纵模振荡源和任意整形电脉冲源,大大提高了ＩＣＦ固体激光驱动器前级整形系统对激光脉冲整形的稳定性和灵活性．     

一种弹载SAR相位域调制欺骗干扰方法

从相位域假目标调制的角度提出了一种针对弹载合成孔径雷达的欺骗干扰信号产生方法。首先,干扰机根据侦察系统提供的弹载合成孔径雷达平台参数,将假目标模板按散射单元划分距离向单元,计算距离向单元内各散射单元对应的多普勒频率、多普勒频率的和函数、相位及幅度信息;其次,对截获的弹载合成孔径雷达信号按距离单元进行相位延时调整、假目标相位调制;然后,利用假目标模板获取的多普勒信号幅度信息进行雷达散射截面重建;最后,对各距离单元干扰信号求和后转发。仿真结果表明:由该方法产生的干扰信号能够形成期望的假目标,是一种有效的干扰方法。     

运用动态规划法分析歪头山铁矿深部倒装站位置的问题

大型露天矿深部开采,多采用铁路－汽车联合运输。在这种运输工艺中,铁路－汽车联合运输转载点－倒装站的位置的选择对矿山深部开采的经济效益有着较大的影响。为此,运用动态规划法分析确定深部倒装站的位置十分重要。     

欢迎订阅2001年《中国非金属矿工业导刊》

《中国非金属矿工业导刊》杂志是国家科委批准 ,国家建筑材料工业局主管 ,由中国非金属矿工业总公司 (集团 )、中国建筑材料工业地质勘查中心和中国非金属矿工业协会联合主办的 ,面向国内外公开发行 ,以非金属矿为核心内容的综合性科技期刊。《中国非金属矿工业导刊》主要报道我国非金属矿行业产业政策、地质找矿、矿产开发与利用、采矿、选矿加工新技术、新成果、新经验、管理科学、市场信息、动态等内容。《中国非金属矿工业导刊》为双月刊 ,大16开 ,48页 ,国内统一刊号 :CN11— 392 4/TD,邮发代号 :82— 319,逢双月 2 5日出版。2 0 0 1…     

《中国钼业》2001年征订启事

《中国钼业》是国家有色金属工业局主管的登载钼业学术与技术经济的综合性技术刊物。主要刊登钼市场、地质、采矿、选矿、冶炼、加工、钼钢和合金、钼化工及设备、材料、自动控制、仪器仪表、三废治理、安全环保、综合利用、分析方法、钼与健康等的新进展、科技成果、先进技术、人物和厂矿介绍 ,还报道钼的科技新闻、专利文摘等。《中国钼业》为双月刊 ,逢双月 2 0日出版。国内外公开发行。邮发代号 :5 2 -14 4 ;国外由中国国际图书贸易总公司 (北京 399信箱 )总发行 ,国外代号 :45 4 6 BM。《中国钼业》广告经营许可证 :陕工商广字 0 5 -0…