浒苔多糖的纯化及抗氧化活性研究

利用DEAE-Cellulose52离子交换层析和Sepharose4B凝胶过滤层析对浒苔粗多糖进行了纯化,并采用Fenton反应和邻苯三酚自氧化法研究了粗多糖和纯化多糖EP-Ⅱ的体外抗氧化活性。结果显示,利用热水浸提、sevag法除掉蛋白质和95%乙醇沉淀后得到的粗多糖,经两步层析后可得到纯化的多糖组分EP-Ⅱ。浒苔粗多糖和EP-Ⅱ都能有效地清除羟基自由基（·OH）,且均呈现一定的量效关系,当浓度为0.6mg/mL时,对羟基自由基（.OH）的清除率分别达到44%和59%。两种多糖对超氧阴离子自由基（O2-·）清除作用较弱。      

红胞藻藻红蛋白的分离纯化及稳定性研究

文章旨在从红胞藻中分离纯化得到试剂级的藻红蛋白，并对其相关性质进行研究。以红胞藻为原料，采用反复冻融、硫酸铵盐析和疏水层析的方法分离纯化藻红蛋白，并对其稳定性进行研究。结果表明，红胞藻经过4次反复冻融后藻红蛋白溶出率最高，两步硫酸铵分级沉淀可使藻红蛋白纯度(A₅₄₅/A₂₈₀)提高到2.45，进一步采用Butyl-S-QZT 6FF疏水层析纯化后藻红蛋白纯度(A₅₄₅/A₂₈₀)达到试剂级，为6.63，回收率为48.9%。纯化的藻红蛋白在545 nm处有最大特征吸收峰，荧光激发峰位于541 nm和553 nm处，发射峰位于587.5 nm处，二级结构主要以α-螺旋的形式存在。藻红蛋白含有3个亚基，分子质量分别为9、10 ku和20 ku，在30～50℃、pH6～8条件下能保持相对稳定。Cu²⁺对藻红蛋白的光谱学性质有一定的影响，在Ca²⁺、Mn²⁺、Zn²⁺、Fe²⁺、Fe³⁺     

Si3N4/W高温共烧陶瓷的制备与研究

氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能，在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料，鉴于此，本工作以氮化硅陶瓷为基板材料，结合流延成型、丝网印刷以及高温共烧技术制备氮化硅多层共烧组件，探究烧结助剂(Er₂O₃)含量对氮化硅陶瓷性能的影响，并对氮化硅多层组件脱粘工艺、界面结构与成分和导电性能进行分析与讨论。结果表明：Er₂O₃含量为9%(质量分数，下同)时，可得到相对密度、收缩率、热导率和抗弯强度分别为95.35%、10.33%、69.94 W/(m·K)和(807.33±10.34) MPa的氮化硅陶瓷。适用于氮化硅多层组件的脱粘工艺为：在真空下以1℃/min的速率升温到600℃并保温1 h。共烧后氮化硅多层组件中的W层厚度约为7μm, W层与陶瓷层界面明显，既存在机械互锁型结构，也有界面反应发生，产物为W₅Si₃。组件的薄层方阻...