建筑光伏接入配电网优化设计及工程案例

针对光伏发电以及配电网的特点,考虑电站接入规划设计、电能质量、继电保护、运行维护系统等方面的因素,提出了建筑光伏建设及其接入方案的优化设计方法。通过整体规划和设计,光伏电站能够可靠接入配电网,并安全稳定运行。提出对于配电网用户,在进行光伏电站接入评估时应重点关注电能质量及继电保护配置。通过具体的工程实例表明该方案在实际工程中得到了运用,效果较好。     

太赫兹液晶反射阵列移相单元的设计与分析

为了满足高增益天线大的移相度和可工作在太赫兹频段,设计了一种基于液晶的双偶极子反射移相单元结构。采用液晶的等效介电常数模型,在频率为335~345 GHz频段均产生360o以上的相移,在342 GHz实现最大相移390o。为了减小液晶不均匀性对相移产生的影响,建立了单元的精确模型,该模型在频率范围为330~338 GHz时均产生了250o以上的相移,在336 GHz实现最大相移285o。与均匀液晶等效介电常数模型相比,产生最大相移的频率点发生了变化,并且产生了最大为105o的移相差值,这在相控反射阵列天线的设计中是不可忽略的。     

IMS网络业务承接实施探讨

介绍了江苏电信网IMS网络演进过程,重点分析在演进过程中对固网业务的承接,在实施中分固网业务梳理、IMS网络业务承接和全业务测试验证3个步骤,提出了承接实施中应关注的环节,为下一阶段业务推送积累了经验。     

Al/Ni薄膜自蔓延反应连接温度场模拟及分析

自蔓延反应能在极短时间内产生足够集中的热量熔化钎料实现材料的连接,具有连接效率高、对连接母材热影响小等特点,从而在材料连接和电子封装领域有着广泛的应用前景。针对Cu/Cu和Cu/Si两种互连结构,建立Ai/Ni薄膜自蔓延反应的连接温度场有限元模型,分析不同钎料厚度、预热条件等参数以及不同连接材料对自蔓延反应连接温度场的影响规律。     

加大监管创新力度 推动行业健康发展

今年以来，重庆市通信管理局认真贯彻全国信息产业工作会议精神，紧紧围绕建设电信强国和重庆市委、市政府提出的“在2010年将重庆建设成为长江上游信息中心和通信枢纽”的奋斗目标，不断增强服务意识，着眼于营造宽松的产业发展环境和有序的市场竞争秩序，进一步加大监管创新力度，积极引导企业理性竞争、实现共赢，推动了行业的持续快速健康发展。     

增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。     

基于nRF905的可移动式无线探测系统设计

设计了一款集无线控制、无线探测于一体的小型车载探测系统。实现了图像、距离、温度等参数的无线测量,由nRF905射频收发模块将所测得的数据传回到手持设备上,并可通过无线方式遥控车载系统的机械动作。利用高性能低功耗单片机MSP430实现系统的控制及数据运算。系统可实时无线探测及控制,具有体积小、功耗低、数据传输稳定可靠、抗干扰能力强等优点,传输距离能达到300米以上,可以有效解决特殊场合的近距离探测应用难题。     

氧流量对TiO_2薄膜光电性质的影响

采用直流反应磁控溅射法在FTO基底上制备了TiO2薄膜,研究了在不同氧流量条件下TiO2薄膜的拉曼光谱、表面形貌和透射光谱,并将TiO2薄膜用N719染料进行敏化,制备了染料敏化太阳电池,测试了电池的I-V特性曲线。实验结果表明:随着氧流量的增加,电池的短路电流和光电转换效率先增加而后降低,在15cm3时达到最大;薄膜为锐钛矿和金红石的混合晶体结构;氧流量对薄膜的表面形貌影响不大,薄膜都表现出疏松多孔的表面结构。     

多媒体数据管理技术

在信息领域中,多媒体数据所占的比例越来越大,但多媒体数据的管理技术却远不及多媒体数据的处理技术成熟,这在一定程度上影响了多媒体技术的应用和推广。对文件系统,关系数据库系统等传统数据管理技术在管理多媒体数据方面的不足作了一些剖析,重点分析了多媒体数据库和超媒体这两种多媒体数据管理技术的各自的特点,意在探索多媒体应用系统中对信息资源的有效组织与访问的技术方法。     

不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺