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101.
102.
103.
104.
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 相似文献
105.
106.
107.
108.
研究了以碳纤维微盘电极为基底、用电化学沉积法制备的Ni(OH)2的电化学性质,测定了在碳纤维微盘电极以及Pt微盘电极上形成的Ni(OH)2的部分电化学参数。结果表明:碳纤维材料具有稳定Ni(Ⅳ)存在的作用,使Ni(Ⅲ)较易转变为Ni(Ⅳ),并能减小析氧反应对Ni(OH)2电极充电性能的影响;在碳纤维基底材料上沉积的Ni(OH)2的质子扩散系数和交换电流密度均大于以Pt为基底材料沉积形成的Ni(OH)2的。Ni(OH)2的电化学性质不仅与其自身有关,还与基底材料的特性有着密切的关系。 相似文献
109.
一种抗辐照功率MOSFET器件 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。 相似文献
110.
纳米氧化亚铜的制备及其光催化性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
通过比较不同的制备方法,选用CuC l水解法制备纳米Cu2O。试验确定了在常压条件下制备纳米Cu2O的最佳反应条件,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对制得的纳米Cu2O进行表征。以该纳米Cu2O为光催化剂,对酸性品红溶液进行光催化氧化降解,考察了纳米Cu2O的加入量、废水浓度、降解时间等对降解性能的影响。结果表明,对于浓度为5 mg/L的酸性品红溶液,当催化剂与酸性品红溶液的固液比为5.6g/L时,太阳光辐照6 h后,降解率能够达到97.96%。另外,重复使用催化剂7次之后,其光催化降解率仍能达到70%以上。 相似文献