压电性能计算机测试系统

研究了一种压电振子电学性能自动测试系统，系统通过对压电振子频率-阻抗关系的测量得到压电振子的谐振频率、品质因数和机电耦合系数等电学参数。阻抗测量采用矢量电压法，其中包括自动平衡电桥测量阻抗、10kHz-5MHz频率合成、相敏鉴波和双斜A／D转换等技术。系统可对压电振子的电学参数进行快速自动测量，测试精度达到国标要求，性价比高。     

Mn掺杂对BST热释电陶瓷性能的影响

采用常规电子陶瓷工艺,制备了不同Mn掺杂含量的钛酸锶钡(BST)陶瓷,分别用X-射线衍射(XRD)和显微镜对其进行了表征,讨论了Mn掺杂对BST材料性能的影响。结果表明,适量的Mn掺杂,对介电常数影响不大,但可明显降低材料的介电损耗;其铁电性能变差,但热释电性能变好。最终可制备出最低损耗达0.4%、介电常数为3 200、热释电系数达20×10-8C.cm-2.K-1的样品。     

Pb(Sc1/2Ta1/2)O3铁电薄膜的制备及性能研究

用Pb(CH3COO)2·3H2O、Sc(CH3COO)3·xH2O和C10H25O 5Ta为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SO2/Si基片上成功地制备出ABO3钙钛矿型结构Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)铁电薄膜.该薄膜是研制铁电微型致冷器和非致冷热释电红外焦平面阵列的优选材料.对制备出的PST薄膜进行了介电、铁电和热释电性能测试.测试得到在1 kHz下PST薄膜的介电常数为570,介电损耗为0.02.铁电性能良好,剩余板化强度为3.8～6.0 μC·cm-2,矫顽场为40～45 kV·cm-1.热释电系数为4.0×10-4～20×10-4Cm-2K-1.     

软件无线电的硬件体系研究

软件无线电是针对无线电通信领域内多体系并存、不同体系间无法制订统一标准等问题而提出的一种解决方案。作为无线通信技术的又一次革命,软件无线电是目前通信领域中最为重要的研究方向之一。主要介绍了软件无线电的概念、特点及硬件体系结构的几种实现方案,包括流水式、总线式、交换式和网络式等。     

Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明,对于Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷,其晶粒生长的动力学指数n等于4,激活能Q等于(400±26)kJ/mol.Al2O3掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2O3尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3+和O2-通过ZnAl2O4尖晶石的扩散.     

铁电厚膜焦平面探测器微桥湿法刻蚀工艺研究

为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了(100)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究.研究KOH摩尔比、腐蚀温度对si基片腐蚀特性的影响.在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善.结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和...     

AST液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

研究了液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低，ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大，过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响。     

施主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主V2O5掺杂TIO2材料的高温电导进行了详细的测试：XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构；施主掺杂样品在较高温度测试时，在高氧分压一侧，发生电导类型转变，从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法，解释了不同氧分压下的电导机制。     

工艺条件对PTC热敏电阻器性能影响的研究

PTC热敏电阻元件的干压成型是生产工序中的关键工艺，不同的加工方式、成型压力和保压时间对生坏成型及PTC元件物理特征、PTC效应、电子性能等均有影响，考虑烧结，必须对工艺条件和粉体性能足够重视。     

用丝网印刷法制备Pt电极及其性能

采用单层和双层印刷法在氧化铝衬底上制备功能陶瓷厚膜用Pt电极,研究了烧结温度、升温速率和电极厚度对Pt电极层的表面形貌、表面覆盖率和表面粗糙度的影响,以揭示晶粒长大、气孔生长及致密化机制.结果表明,在单层印刷Pt电极的烧结过程中,低温阶段残留的碳使不同温区Pt的主导扩散机制不同.双层印刷Pt电极中第一层在600℃下烧结后,印刷第二层再在1200℃下烧结具有最大表面覆盖率和最小平均粗糙度(其值约为0.82 μm),同时具有最好的导电性能(方阻为0.044 Ω/□).